一種基于DC-DC 開關電源的溫度檢測電路設計
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趙亞鴿? （電子科技大學物理學院，四川?成都?610054）
摘? 要：針對DC-DC開關電源的經典拓撲結構，提出了一種新型的溫度檢測電路設計。研究了溫度對整個開 關電源系統的影響，以及在一定溫度變化范圍內，開關電源能否輸出穩定電壓。在此基礎上，本文設計了一種 新型的溫度檢測電路，并對其進行功能優化，實現溫度的精確檢測。同時，為防止溫度過高對系統造成不可逆 破壞，本文在溫度檢測電路的研究基礎上，設計了一款新型的過溫保護電路。當系統溫度高于溫度閾值時，溫 度檢測電路輸出發生變化，啟動過溫保護電路，關閉帶隙基準電壓電路和上電位，從而達到保護電路的目的。 最后對此結構進行仿真，仿真結果表明在不同工藝角情況下，該系統均具有精確的溫度檢測性能，且能穩定啟 動過溫保護實現關閉電源、保護電路的目的。
關鍵詞：DC-DC開關電源；溫度檢測；過溫保護；系統溫度閾值；帶隙基準電壓
0 引言
開關型電源、LDO是目前應用在SoC系統中最常見 的兩種電源管理系統[1-2]。其中，基于經典拓撲結構的 開關型電源，具有效率高、功耗低、體積小以及抗干擾 能力強等諸多優點，廣泛應用于許多高集成度高性能的 SoC系統芯片中[1]。
開關型電源主要是通過控制功率開關管的周期性導 通來輸出穩定電壓，實現升壓、降壓、電壓反轉等功 能，從而為整個電路系統穩定供電[2]。
如圖1所示，開關型電源中較為常見的是BUCK型 DC-DC開關電源。相較于其他電源管理系統而言， BUCK型DC-DC開關電源的電源轉換效率高，可達 80%以上，對于一些特制的開關電源甚至高達90%；其 次，負載能力強，可承受大電流；另外，開關電源的功 率MOS管阻值較低，故而功率損耗偏低，適用于傳導較大電流；通過控制開關電源內部功率MOS管（高邊管和 低邊管）的開關來控制輸出電壓的增大或減小，實現動 態調節，使得穩壓范圍較寬[3]。
開關電源往往工作在高電壓下，較大功率的開關電 源同時也工作在大電流狀態下，較大的電流或者電壓容 易燒壞電路[4-5]。為了保護開關電源自身和負載，根據DC-DC直流電源原理，先后設計出了許多保護電路， 如：ESD保護電路、過壓保護電路（OVLO）、欠壓保 護電路（UVLO）、軟啟動電路等。本文在上述幾種保 護電路的基礎上設計出了基于DC-DC開關電源的溫度 檢測系統，當溫度超過工作溫度閾值時，關斷電路，從 而起到實時保護電路的目的[3,5]。
1 溫度檢測電路設計原理
設計的溫度檢測電路如下圖2所示。
本模塊主要實現的功能是對芯片電源供電系統中的 帶隙基準電壓進行溫度檢測。帶隙基準電壓是電源系統 中非常重要的模塊。絕大多數的內部供電都是由帶隙基 準電壓為源頭進行“再加工”處理。針對帶隙基準電壓 進行溫度檢測，溫度越高，其電壓值也越高，從而在溫 度檢測模塊中引起輸出電壓狀態的改變。所以只需檢測 溫度檢測電路的輸出電壓就可以直觀判斷電源溫度是否 過高，從而實現溫度檢測的功能。
如圖2所示，VREF1與VREF2是由電路的電壓基準電路 VREF產生的基準電壓，VREF1為帶隙基準產生的基準電 壓，可視作沒有溫度系數，而VREF2為PTAT電壓，通過 運放虛短作用，使電阻R1兩端的電壓分別固定在VREF1和 VREF2，這里Vx的電壓與VREF2的電壓值相等。所以流經R1的電流則為（假設電流方向于圖中向下）：
Vo1為溫度檢測模塊的輸出電壓，利用2個基準電壓 的差值去除表達式中的高階項，提高溫度線性擬合度。
通過式(1)、（2）以及運放的“虛短”、“虛 斷”，對輸出電壓Vo1進行推導，如式（3）、式（4）：
電阻的溫度系數被約掉，故Vo1的溫度系數只與VREF2 有關。 M1、M2、M3、M4管通過2個Cascode電流鏡進行 偏置，其作用為將M1、M4漏極電壓分別鉗位到VDDVTP和VTN，防止在極端輸入情況下，2個差分對的輸 出懸空，造成M5或M6的柵極懸空。
2 過溫保護電路設計原理
過溫保護電路的輸入端與溫度檢測電路的輸出端相 連，其目的是為了檢測溫度檢測電路的輸出電壓是否正 常[6]。溫度檢測電路將溫度變化轉換為電壓信號，而過 溫保護電路則用于檢測溫度檢測電路的輸出電壓是否正常。當輸出電壓超出過溫保護電路所檢測的電壓閾值范 圍，過溫保護電路的輸出會將0轉變為1，進而關斷其電 源電路，實現保護電路不被燒斷。
此電路主要實現的功能為：溫度檢測電路將芯片溫 度轉換為電壓信號。一旦芯片溫度超過某一閾值，溫度 傳感器（即過溫保護電路）便會啟動熱關斷，停止整個 系統的工作輸出。當芯片溫度降至熱滯回帶以下時，整 個系統解除熱關斷，恢復正常工作。
如圖3所示，R1、R2、Q1、Q2、R3構成帶隙基準 作為PTAT電流源，流過R3的電流I0為PTAT電流。采用rppolyu低溫飄電阻作為柵漏短接的MOS電阻，即 MP1。其中，Q1和Q3的工藝尺寸相同，而Q2為8個相同的MOS管并聯而成。
此時，A點的電壓為：
其中gmp 和R2的溫度系數均小于I0，隨溫度變化的幅 度也很小。由公式 (6) 可見，I0呈正溫系數，溫度升高 時，I0增大，此時A點的電壓隨溫度的上升而下降。當 溫度上升至一定閾值時，VA關斷Q3，B點電壓由低電平 跳轉為高電平，經帶遲滯的施密特反相器處理，通過 X288_A端向數字電路部分提供過溫關斷信號。當溫度 下降幅度超過遲滯量時，Q3管將重新打開并拉低B點電壓，X288_A信號由高調低，電路重回正常工作狀態。
MP1為MOS管連接的小電阻，目的是將電源與基準 隔離，提高電源抑制比。
3 仿真結果及分析
本文仿真采用0.18 μm的BCD工藝，仿真工具為 Cadence Spectre。
3.1 溫度檢測電路仿真
3.1.1 帶隙基準溫度仿真
首先對帶隙基準電壓進行DC溫度仿真。如圖4所示，帶隙基準電壓VREF1約為1.26 V，隨溫度變化并不明顯；VREF2為PTAT電壓，隨溫度呈線性趨勢變化，滿足 公式（4）所述。Vo1的溫度系數只與VREF2有關，故而溫 度越高，VREF2電壓越高，Vo1電壓越高，符合電路基本原理。
3.1.2 輸出電壓溫度仿真
隨后驗證輸出電壓Vo1并進行DC溫度仿真。仿真結 果如圖5，當溫度升高時，Vo1線性升高。
在-40~125 ℃時，Vo1的輸出電壓范圍在24.28 mV~ 1.842 V之間。
3.1.3 工藝仿真
溫度檢測電路要求精細，為保證整個電路的可靠性 和穩定性，在不同工藝角情況下對模塊進行工藝仿真。
● MOS工藝角仿真
MOS的工藝角分別為tt_5v，ff_5v，ss_5v， fs_5v，sf_5v。在不同工藝角下對該模塊進行仿真，得 到圖6。由圖中數據可知，在各MOS corner下，輸出電 壓符合設計要求。
通過圖6得到如表1所示的數據。
● 電阻工藝角仿真
電阻res的工藝角分別為tt_res 、ff_res、ss_res。在 不同工藝角下對該模塊進行仿真，結果如圖7所示，在 各RES corner下，該輸出符合設計要求。
通過圖7得到如表2所示的數據。
3.2 過溫保護電路仿真
3.2.1 PTAT電流溫度仿真
本模塊的工作機理是利用PTAT電流與溫度之間的 關系進行仿真。如公式（5）、公式（6）所述，當溫度 升高時，PTAT電流I0增大，A點電壓減小，從而使輸出 電壓由低變高，反之亦然。所以先對I0電流進行溫度仿 真，結果如圖7所示，仿真結果表明I0與溫度成正相關， 符合電路原理。
3.2.2 輸出電壓溫度仿真
隨后驗證輸出電壓X288_A并進行DC溫度仿真。由 于施密特觸發器作用，輸出電壓的曲線出現熱回滯窗 口，仿真結果如圖8所示。
由圖可見，該模塊大約在170 ℃左右關斷芯片， 在146.1℃左右使芯片重回正常工作狀態，遲滯量約為 (170-146.1) ℃=23.9 ℃。
4.2.3 工藝仿真
與溫度檢測電路類似，為提高整個系統的安全性和 可靠性，需對保護電路進行工藝仿真，本文在不同工藝 角情況下對模塊進行仿真。三極管和電阻在不同工藝角 下對過溫翻轉和低溫恢復這兩個關鍵節點處的仿真圖像 如圖9、10所示。
仿真結果表明在不同工藝角情況下的溫度誤差均較 小，說明在一定誤差范圍內該電路可以正常工作并能保 持較高精度。
4 結語
本文提出了一種新型的基于BUCK DC-DC開關電 源的溫度檢測電路結構，并基于此結構進行改進，加入 了一種新型的過溫保護機制。通過理論分析和數學推導 進行電路搭建，并用仿真軟件進行仿真。由于系統的高精度要求，本文在一般的溫度仿真基礎上，進行了工藝 角的仿真。仿真結果表明在一定溫度范圍內，該結構可 實時檢測電流并實現過溫保護。
參考文獻：
[1] RAZAVI B.Design of Analog CMOS Integrated Circuits [M].陳貴燦,程軍,張睿智,等,譯.西安:西安交通大學出版社, 2002,312-315.
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[3] 童亦斌,吳峂,金新民,等.雙向DC/DC變換器的拓撲研究[J].中國 電機工程學報,2007(13):81-86.
[4] 吳愛國,李際濤.DC-DC變換器控制方法研究現狀[J].電力電子 技術,1999(2):75-78.
[5] 張慕輝,劉詩斌,馮勇.具有滯回功能的過溫保護電路[J].儀表技 術與傳感器,2009(02):94-95,110.
[6] 潘飛蹊,俞鐵剛,郭超,等.一種高精度帶隙基準 源和過溫保護電路[J].微電子學,2005(2):192195.
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