意法半導體收購氮化鎵創新企業Exagan的多數股權

近日，橫跨多重電子應用領域的全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST) 宣布，已經簽署收購法國氮化鎵（GaN）創新企業Exagan公司的多數股權的并購協議。Exagan的外延工藝、產品開發和應用經驗將拓寬并推進意法半導體的汽車、工業和消費用功率GaN的開發規劃和業務。Exagan將繼續執行現有產品開發規劃，意法半導體將為其部署產品提供支持。

雙方的交易條款沒有對外公布，等法國政府按照慣例成交法規批準后即可完成交易。現已簽署的并購協議還規定，在多數股權收購交易完成24個月后，意法半導體有權收購剩余的Exagan少數股權。本交易將采用可用現金支付。

意法半導體公司總裁兼首席執行官Jean-Marc Chery表示：“意法半導體的碳化硅發展勢頭強勁，現在我們正在擴大對另一種前景很好的復合材料--氮化鎵的投入，以促進汽車、工業和消費市場客戶采用GaN功率產品。收購Exagan的多數股權是我們加強公司在全球功率半導體市場的領先地位以及我們的GaN長遠規劃、生態系統和業務的又一項新舉措，是對我們目前與CEA-Leti在法國圖爾的開發項目以及最近宣布的與臺積電的合作項目的補充。”

氮化鎵(GaN)屬于寬帶隙(WBG)材料家族，其中包括碳化硅。GaN基器件是高頻電力電子器件行業取得的一大進步，其能效和功率密度高于硅基晶體管， GaN基器件節能省電，縮減系統整體尺寸。GaN器件適合各種應用，例如，服務器、電信和工業用功率因數校正和DC/DC轉換器；電動汽車車載充電器和車規DC-DC轉換器，以及電源適配器等個人電子應用。

Exagan成立于2014年，總部位于法國格勒諾布爾。該公司致力于推進電力電子行業從硅基技術向GaN-on-silicon技術轉變，研發體積更小、能效更高的功率轉換器。Exagan的GaN功率開關是為標準200毫米晶圓設計。