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        一種高電流效率套筒式共源共柵運算放大器的設計

        作者:鮑占營 時間:2020-03-03 來源:電子產品世界 收藏

        鮑占營 (湘潭大學?物理與光電工程學院,湖南?湘潭?411105)

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/202003/410487.htm

        摘? 要:本文提出了一種。同傳統對稱套筒式共源共柵運算放大器相比,在相同 的和輸入情況下,套筒式共源共柵結構具有更高的電流利用效率,該結構能夠減小放大器的 尺寸和功耗,同時不影響放大器的增益和輸出擺幅。基于Cadence Spectre對電路進行了仿真驗證,仿真結果表 明,套筒式共源共柵結構具有接近單端放大器的電流利用效率。 

        關鍵詞:非對稱;

        0  引言 

        放大器是最重要的集成電路之一,可以追溯到真空 管時代。由于放大器具有很多有用的特性,所以已經成 為當代高性能模擬電路和混合信號的主要選擇[1]。工作 于負反饋狀態的放大器是模擬電路的基本單元之一,廣 泛應用于模擬電路,例如ADC、儀表放大器、誤差放大 器等。 放大器可分為單端放大器與差分放大器。單端放大 器結構簡單,電流效率高,易于計算和使用,但無法 完成差分信號的處理。差分放大器處理差分信號,有更 高的電源噪聲抑制比和更大的輸出擺幅,但是相比于同 類單端放大器有著更高的功耗和面積[1-2]。共源共柵運 放增益較高、結構簡單、計算方便,是常用的差分放 大器。共源共柵運放有套筒式和折疊式兩種,折疊式 共源共柵結構共模輸入范圍較高[3-4],但是多了輸入對 支路,有更多的電流消耗,電流利用效率較低。套筒式 共源共柵輸入共模范圍較低,但是省了額外的輸入對支 路,相比于折疊式共源共柵有更高的電流效率。

        1  單端放大器與傳統套筒式共源共柵結構分析 

        1.1 單端放大器 

        單端放大器以電阻負載的共源極為例,如圖1(a),M1為輸入管,電阻RD為負載電阻,CL為負載 電容,共源放大器工作原理簡單,可以直接寫出它的增 益和增益積。

        直流增益為:

        微信截圖_20200309143902.png

        增益帶寬積為:

        微信截圖_20200309143937.png

        由此可見,共源放大器所消耗的電流對放大器的增 益帶寬積都有貢獻,可以認為放大器所消耗的1倍的電 流貢獻了1倍的帶寬。 

        1.2 傳統套筒式共源共柵結構 

        傳統套筒式共源共柵結構如圖1(b)所示,M7、 M8為NMOS差分輸入對,M3、M5和M4、M6為共源共 柵負載。其中左右輸入對管和負載管尺寸個數完全相同,為對稱式結構,其為gm7,8,增益為:

        微信截圖_20200309144018.png

        套筒式共源共柵結構是常見的運放結構,這里直接 分析穩態時小信號壓差加在輸入對兩端時的小信號工作 狀態。當套筒式共源共柵結構兩輸入端有小信號電壓VX 變化時,假設Q點電壓不變, 電路工作點不發生變化,初 始柵上電壓為V0。假設其中 反相端小信號電壓升高,同 相端小信號電壓降低,那么 M7中的小信號電流向上,M8 中的小信號電流向下。但此 時Q點電壓不變,因此,根據 基爾霍夫電流定律[5],我們有 小信號電流Im7+Im8=0,即

        微信截圖_20200309144034.png

        因為M7、M8尺寸完全相同,gm7=gm8,因而

        微信截圖_20200309144051.png

        微信截圖_20200309144107.png

        這和Q點電壓不變是一致的。同樣M6的小信號電流 變化也是Im1,又以電流鏡的方式復制給M5,則輸出端 的小信號電流大小為:

        微信截圖_20200309144120.png

        則,差分對的直流增益為:

        1583736232365124.png

        與之前式子相等。 

        增益帶寬積為:

        微信截圖_20200309144205.png

        結構簡單,有很好的對稱 性,可以直接寫出放大器的增益,但是流過差分對的2 倍電流只貢獻了1倍的輸入級跨導與帶寬,另1個對跨導 與帶寬不做貢獻的輸入管M8與負載M4、M6起到反饋與復制電流的作用,與單端放大器相比,流過決定輸入跨 導的MOS管的電流為尾電流ID2的一半,電流利用效率 只有單端放大器的1/2,浪費了電流與芯片面積,電流 與版圖利用效率一般。

        2  非對稱套筒式共源共柵結構

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        為了提高電流利用效率,同時降低MOS管的尺寸, 提出了非對稱套筒式共源共柵結構。該結構原理圖如圖 1(c)所示。 

        傳統套筒式共源共柵結構對稱性好,兩側MOS管的 尺寸相同。本設計采用非對稱式套筒式共源共柵結構, 兩側MOS的尺寸為10:1,即差分輸入對和負載的寬長比 的比值滿足以下關系:

        微信截圖_20200309144436.png

        如果我們假設M15管和M14管的直流電位相等,ID9 為尾電流源電流,則

        微信截圖_20200309144453.png

        因此

        微信截圖_20200309144507.png

        假設運放兩端的差分輸入小信號為VX,Q點電壓不變,電路工作點不發生變化,初始柵上電壓為V0,輸出 小信號電壓為VY。根據基爾霍夫電流定律,我們有小信 號電流Im15+Im14=0,即:

        微信截圖_20200309144530.png

        因為M15的尺寸是M14的10倍,gm15=10gm14, 因而:

        微信截圖_20200309144544.png

        即:

        微信截圖_20200309144559.png

        M15、M14兩端的小信號電壓分別為VX/11、10 VX/11,M14管產生的小信號電流為(10/11)*VXgm14, 10倍電流鏡復制的小信號電流為(10/11)*VXgm14*10, M15管的小信號電流為(1/11)*VXgm15,則運放的直流 增益為:

        1583736505111888.png

        增益帶寬積為:

        微信截圖_20200309144634.png

        本次設計采用非對稱套筒式,其反相端與負載的尺 寸是同相端與負載尺寸的10倍。流過決定輸入跨導的輸 入管M15的電流為10 ID9/11,電流利用效率為10/11接近 單端放大器,高于傳統套筒式的1/2。 

        可以看出套筒式共源共柵的增益取決于輸出一側輸 入管的尺寸和電流,同時輸入跨導也取決于輸出一側的 輸入管。

        3  仿真結果 

        采用0.5 μm的BCD工藝,設計了非對稱套筒式共源 共柵放大器。基于Cadence Spectre仿真器對傳統套筒式 共源共柵和非對稱套筒式共源共柵進行STB仿真[6],負 載電容設置為50 nF,頻率響應的幅頻特性曲線如圖2所 示。可以明顯地看出傳統套筒式共源共柵結構和非對稱 套筒式共源共柵結構幅頻特性曲線的區別。傳統套筒式 共源共柵結構的幅頻特性為曲線①,其單位增益帶寬約 為5.1 kHz,采用非對稱式套筒式共源共柵結構的幅頻特性為曲線②,其單位增益帶寬約為50.9 kHz。仿真結 果與計算相符,非對稱套筒式共源共柵放大器的帶寬是 傳統套筒式共源共柵放大器的10倍。運算放大器的輸入 跨導取決于輸出端支路,驗證了上面的計算。

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        4  結論 

        本文分析了傳統套筒式共源共柵結構的小信號工作原 理及其電流效率較低的問題,提出了非對稱套筒式共源共 柵結構,計算并驗證運放的跨導與帶寬取決于輸出一側的 輸入管的尺寸和漏電流。該結構充分地利用了差分對的尾 電流,與同等帶寬的傳統共源共柵放大器相比,非對稱式 結構中對跨導和帶寬沒有貢獻的放大器可以采用較小的尺 寸和電流,有著更低的電流消耗和更小的版圖面積。本文 采用0.5 μm的BCD工藝設計了一款非對稱套筒式共源共柵 放大器,并與傳統套筒式共源共柵放大器做對比。通過計 算與仿真驗證可以得出,非對稱套筒式共源共柵結構具有 更高的電流利用效率,更低的電流消耗以及更小的版圖面 積,可廣泛應用于放大器電路中。

        參考文獻: 

        [1] 畢查德+拉扎維(RAZAVI B). 模擬CMOS集成電路設計[M].西 安:西安交通大學出版社, 2003. 

        [2] SANSEN W M C. Analog design essentials[M]. Springer, 2006. 

        [3] ALLEN P E,HOLBERG D R. CMOS模擬集成電路設計[M]. 馮軍,譯.北京:電子工業出版社, 2007. 

        [4] 林康-莫萊.模擬集成電路設計[M].陳曉飛,鄒望輝,劉政林,等,譯. 北京:機械工業出版社, 2016. 

        [5] 邱關源.電路.第5版[M]. 北京:高等教育出版社, 2006. 

        [6] 何樂年,王憶.模擬集成電路設計與仿真[M].北京: 科學出版社, 2008.

        本文來源于科技期刊《電子產品世界》2020年第03期第47頁,歡迎您寫論文時引用,并注明出處。



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