智能電表設計中如何應用相變存儲器PCM
加入技術交流群
對產品帶來這么多特性的PCM相變存儲器，那么具體的應用又如何？劉群先生表示，現在目前智能能電表的存儲系統采用NVRAM，EEPROM等方案，但是這些解決方案都存在有成本高、容量小、設計復雜等缺點，而運用PCM相變存儲器設計的智能電表可以很好地規避這些缺點。由于PCM具有位改寫，成本和工藝的可持續性，高擦寫次數，從而可以很好的整合原有的存儲系統。只使用一顆PCM相變存儲器就可以整合NOR flash, EEPROM, NVRAM, 從而提供更低的成本，更加環保，更加可靠，以及更大的容量。本文引用地址：http://www.104case.com/article/201893.htm
針對采用相變存儲器的智能電表設計，劉群也談到，作為存儲器的重要生產廠商，為滿足客戶的需求，美光也推出了兩款代號為“omneo”的相變存儲器。分別是：P8P –高速并行接口，128Mb 容量， 100萬次的寫入次數。P5Q- 高速SPI 接口，支持1、2，4位輸入輸出，也是128Mb 容量, 高達66Mhz。 100萬次的寫入次數。 Omneo 給嵌入式提供了一種更快寫入速度，更高的寫入次數的存儲器。從而拓展了客戶對存儲系統的設計。 并且在本次西安站IIC CHINA展覽會現場，觀眾可以參觀樣品展示。
同期，在西安站技術研討會上，除了美光公司帶來的精彩演講外，還有ADI公司資深應用工程師薛睿帶來的關于使用性能觀測器來測量和改善嵌入式系統的性能、TriQuint公司關于討論最新技術和TriQuint中國區總經理熊挺提供的集成式方案、以及有國際電子商情主分析師陳路帶來的關于2011年中國汽車電子市場商機的精彩演講。
評論