德州儀器新型即用型600V氮化鎵(GaN)場效應晶體管(FET)功率級產品組合可支持高達10kW的應用

2018年10月29日，北京訊 - 德州儀器（TI）近日宣布推出支持高達10kW應用的新型即用型600 V氮化鎵（GaN），50mΩ和70mΩ功率級產品組合。與AC/DC電源、機器人、可再生能源、電網基礎設施、電信和個人電子應用中的硅場效應晶體管（FET）相比，LMG341x系列使設計人員能夠創建更小、更高效和更高性能的設計。

德州儀器的GaNFET器件系列產品通過集成獨特的功能和保護特性，來實現簡化設計，達到更高的系統可靠性和優化高壓電源的性能，為傳統級聯和獨立的GaN FET提供了智能替代解決方案。通過集成的<100ns電流限制和過溫檢測，器件可防止意外的直通事件并防止熱失控，同時系統接口信號可實現自我監控功能。

LMG3410R050、LMG3410R070和LMG3411R070的主要特性和優勢

·更小、更有效的解決方案：與硅金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）相比，德州儀器的集成GaN功率級可將功率密度提高一倍，并將損耗降低80%。每個器件都具有快速的1MHz開關頻率和高達100V/ns的壓擺率。

·系統可靠性：本產品組合接受了2000萬小時的設備可靠性測試，包括加速和應用內硬開關測試。此外，每個器件均提供集成的散熱和高速、100ns過流保護，以防止直通和短路情況。

·每個功率級的設備：50mΩ或70mΩ條件下，本產品組合中的每個器件均提供一個GaN FET、驅動器并提供保護功能，可為低于100W至10kW的應用提供單芯片解決方案。

在德國慕尼黑電子展electronica訪問德州儀器

德州儀器（TI）將在德國慕尼黑電子展（2018年11月13日至16日）的C4展廳-131展位展示一個10kW的云網格鏈接演示。由德州儀器和西門子聯合開發的有源演示采用德州儀器的LMG3410R050 600V GaN FET，具有集成驅動器和保護功能，與傳統的硅設計相比，幫助工程師實現99%的效率，功率元件尺寸可減少30%。

封裝和供貨

這些器件均采用8mm×8mm分割墊、方形扁平無引腳（QFN）封裝,現可從TI商店處購買。LMG3410R050, LMG3410R070和LMG3411R070的訂購單位為1000件。