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        一種單片機(jī)電路中雙向可控硅打火案例分析

        作者: 時(shí)間:2018-08-13 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

        可控硅器件是一種較為常見(jiàn)的半導(dǎo)體器件,其被大面積應(yīng)用在電視、空調(diào)、冰箱、電燈等家電領(lǐng)域。因此在可控硅的應(yīng)用過(guò)程中總會(huì)遇到這樣或者那樣的問(wèn)題。由可控硅引起的電路及器件燒毀就是這樣一種常見(jiàn)問(wèn)題,本文就將結(jié)合實(shí)例,為大家講解一種接通可控硅后燒毀的情況。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/201808/386490.htm

        如圖1所示,直流24V是半波整理后阻容降壓所致,之后HT7533轉(zhuǎn)換3V給來(lái)控制可控硅和繼電器。控制信號(hào)先打開(kāi)可控硅6ms,之后再打開(kāi)繼電器。那么問(wèn)題來(lái)了,當(dāng)可控硅不焊接時(shí),單片機(jī)控制繼電器正常,但連接MAC97A后,單片機(jī)接通可控硅后電路,單片機(jī)和后端的24V轉(zhuǎn)3V的LDO燒毀,為什么會(huì)這樣呢?

        如果在電路中需要使用可控硅,就需要用MOC3022之類光耦隔離控制,要求阻容降壓電源正極和交流電源線共線,同時(shí)可控硅A1接在共線上。 反觀案例中的原理圖和PCB,可以看到可控硅的G和T2之間電壓很小,可控硅在焊接之后就將220v引入,因此的情況是必然的。

        此外不是只在G接控制即可,G的控制是相對(duì)于T2的,但T2已經(jīng)達(dá)到了220v,燒毀是必然的。這里多說(shuō)一句,有的設(shè)計(jì)者很有想法,這樣的方式能夠讓繼電器接通時(shí)有抖動(dòng),可以避免繼電器抖動(dòng)帶來(lái)的危害,因?yàn)樵诶^電器接通時(shí),可控硅已經(jīng)打通。

        有時(shí)間的朋友可以試試使用過(guò)0觸發(fā)的MOC3041/61/83之類來(lái)隔離驅(qū)動(dòng)案例中的可控硅,可能連過(guò)0檢測(cè)都不需要了。

        通過(guò)分析,可以看到本例中燒毀的問(wèn)題是由設(shè)計(jì)和接通錯(cuò)誤造成的。正在學(xué)習(xí)可控硅相關(guān)知識(shí)的朋友可以仔細(xì)閱讀本文,相信一定能從文中找到一些有用的解決方法或知識(shí)點(diǎn)。



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