意法半導體高功率電子熔斷器集成增值保護功能，提高安全性和可靠性

　　意法半導體STEF01可編程電子熔斷器集成低導通電阻RDS(ON) 的VIPower?MOSFET功率管，在8V到48V的寬輸入電壓范圍內，能夠維持高達4A的連續電流，并且插入損耗低，將動作快速的過載保護的優勢延續到額定功率更高的應用產品。

　　當與主電源軌串聯時，STEF01可以防止過流和過壓損壞負載，電壓被限制在用戶使用外部電阻預設的最大電壓值以下，通過控制內部功率MOSFET，過大的電流被限制在預設的安全限值以下，當檢測到過流較強或短路時，過流則降至下限。

　　STEF01利用意法半導體的BCD8高壓工藝集成增值保護功能，例如，dV / dt控制可以防止浪涌電流在啟動或熱插拔期間過大，然而這會使輸出電壓上升時間減慢到至少3ms，如果需要加快上升時間，可以連接一個外部電容;可編程欠壓鎖定(UVLO)也可使用外部元件設置電壓值，允許用戶微調所需的電源軌最小電壓值，以滿足負載要求。

　　其它產品特性包括帶有閂鎖或自動重試的熱關斷功能和最大耗散功率保護，在啟動進入高容性負載時，或在大負載瞬態或高壓短路期間，每個保護功能都可以防止特別高的功率損壞STEF01。該產品還配備一個電源正常指示燈和一個可用于監視狀態或控制設備的使能/故障引腳，以及一個控制外部N溝道MOSFET的專用柵極驅動器輸出，以簡化反向電流保護設計。

　　STEF01為各種應用提供靈活方便的保護功能，包括工業熱插拔板和控制設備、斷路器、電源總線、安全監控或照明系統、電信電源模塊或分布式電源系統。

　　STEF01采用14引腳的HTSSOP14封裝，現已上市。