SRAM型FPGA單粒子效應(yīng)試驗(yàn)研究

針對(duì)軍品級(jí)SRAM型FPGA的單粒子效應(yīng)特性,文中采用重離子加速設(shè)備,對(duì)Xilinx公司Virtex-II系列可重復(fù)編程FPGA中一百萬門的XQ2V1000進(jìn)行輻射試驗(yàn)。試驗(yàn)中,被測(cè)FPGA單粒子翻轉(zhuǎn)采用了靜態(tài)與動(dòng)態(tài)兩種測(cè)試方式。并且通過單粒子功能中斷的測(cè)試,研究了基于重配置的單粒子效應(yīng)減緩方法。試驗(yàn)發(fā)現(xiàn)被測(cè)FPGA對(duì)單粒子翻轉(zhuǎn)與功能中斷都較為敏感,但是在注入粒子LET值達(dá)到42MeV.cm2/mg時(shí)仍然對(duì)單粒子鎖定免疫。本文對(duì)翻轉(zhuǎn)敏感度、測(cè)試方法與減緩技術(shù)進(jìn)行了討論,試驗(yàn)結(jié)果說明SRAM型FPGA對(duì)單粒子效應(yīng)比較敏感,利用重配置技術(shù)的減緩方法能夠有效降低敏感度,實(shí)現(xiàn)空間應(yīng)用。

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