測(cè)試LTE從哪里開始？

　　表2：UE接收器測(cè)量指標(biāo)

　　表2中的兩個(gè)測(cè)試用于驗(yàn)證接收性能。有了以上測(cè)量的組合，挑戰(zhàn)現(xiàn)在變成如何將它們應(yīng)用到幾乎無(wú)限多種可能的移動(dòng)設(shè)備配置中。

　　LTE測(cè)試計(jì)劃開發(fā)

　　測(cè)試計(jì)劃開發(fā)有很多種方法，其中包括：尋找設(shè)計(jì)中可能的故障模式；采用標(biāo)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)的建議；集成電路制造商的建議；生產(chǎn)中類似設(shè)備過(guò)去的歷史。

　　不幸的是，就LTE之類的新技術(shù)而言，可作為建立測(cè)試計(jì)劃基礎(chǔ)的經(jīng)驗(yàn)可能非常有限。各種器件制造商可能沒(méi)有披露設(shè)計(jì)內(nèi)部的詳細(xì)情況，而且對(duì)相對(duì)較新的設(shè)計(jì)而言，制造商本身也可能會(huì)經(jīng)驗(yàn)有限。

　　因此，制造商經(jīng)常自行開發(fā)測(cè)試計(jì)劃，并且有可能退而采用標(biāo)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)的測(cè)試規(guī)范，將其作為基準(zhǔn)。

　　表3代表了一個(gè)為L(zhǎng)TE用戶設(shè)備發(fā)送器開發(fā)的測(cè)試計(jì)劃。雖然我們還想進(jìn)行另外幾項(xiàng)測(cè)試，再宣布被測(cè)設(shè)備（DUT）在生產(chǎn)測(cè)試方面“合格”，但是對(duì)于本討論來(lái)說(shuō)，這個(gè)子集非常有用。

　　表3的每一列從左至右代表一個(gè)測(cè)試配置，每種配置分別由每列頂部的參數(shù)指定。一般情況下，在討論測(cè)試配置時(shí)，我們討論的是DUT所處的穩(wěn)態(tài)，例如恒定調(diào)制率和恒定功率電平等。每列的下半部分表示要對(duì)每種配置進(jìn)行的測(cè)量。

　　表3：源于3GPP的測(cè)試規(guī)范

　　在表4中，我們將沿著這個(gè)測(cè)試計(jì)劃的開發(fā)一節(jié)一節(jié)地瀏覽。本案中的測(cè)試開發(fā)人員擁有豐富的LTE知識(shí)，對(duì)用于LTE的3GPP測(cè)試規(guī)范有很好的了解——他被認(rèn)為是測(cè)試其他技術(shù)移動(dòng)設(shè)備的專家。

　　表4：對(duì)源于3GPP的測(cè)試規(guī)范的討論

　　請(qǐng)注意，該作者對(duì)所有測(cè)試都使用了-57dBm的RX功率電平。因?yàn)镽X功率與TX測(cè)量沒(méi)有直接聯(lián)系，所以不管它設(shè)在什么電平都沒(méi)有問(wèn)題。

　　注：一般假定該測(cè)試計(jì)劃將按照DUT的能力被一致地應(yīng)用到各種頻帶/信道上。3GPP建議采用每個(gè)頻帶的低、中和高信道對(duì)設(shè)備進(jìn)行測(cè)試。按照某些信道配額，這可能意味著只有單個(gè)信道得到測(cè)試。

　　從測(cè)試覆蓋范圍的角度來(lái)說(shuō)，該測(cè)試計(jì)劃的作者做了一項(xiàng)很好的工作：測(cè)試了DUT的性能邊界。他測(cè)試了最大和最小RB（資源塊）分配、最大和最小調(diào)制率以及最大和最小功率電平。他按照RB分配考察了整個(gè)信道的變化。該測(cè)試引自3GPP測(cè)試規(guī)范的建議，并與之完全相符。生產(chǎn)中的這種測(cè)試計(jì)劃不大可能漏掉很多問(wèn)題（如果有的話）。

　　讓我們?cè)跍y(cè)試處理量的方面檢查一下這個(gè)測(cè)試計(jì)劃，因?yàn)槲覀兊哪繕?biāo)畢竟是盡可能快地有效測(cè)試DUT。當(dāng)您看這個(gè)計(jì)劃時(shí)，有兩件事非常突出。表格非常稀疏，但配置數(shù)卻非常多。

　　鑒于Iqxstream支持?jǐn)?shù)據(jù)捕獲與分析分離的方法，測(cè)試時(shí)間很大程度上由配置捕獲周期決定，而不是由每次捕獲計(jì)算的測(cè)量數(shù)決定。這就表明，針對(duì)處理量?jī)?yōu)化的測(cè)試計(jì)劃要盡量減少配置數(shù)，同時(shí)增加測(cè)量數(shù)。這更傾向于測(cè)量密度更大的更窄表格。

　　讓我們同樣檢查一下測(cè)試工程師是如何選擇不同配置的。在上例中，測(cè)試完整考察了一組參數(shù)，然后正交轉(zhuǎn)入下一組。測(cè)試1~3完整考察了RB偏移方面的變化，然后改變RB塊大小，再次考察了不同偏移的影響。在實(shí)驗(yàn)室環(huán)境中，這種控制對(duì)于追蹤設(shè)計(jì)中不合格變化的源頭來(lái)說(shuō)至關(guān)重要，但是在制造測(cè)試環(huán)境中，這種正交性卻不太重要。

　　簡(jiǎn)單缺陷示例

　　用一個(gè)簡(jiǎn)單的示例來(lái)看一下模擬性能中的缺陷是如何發(fā)生的。假定后調(diào)制模擬濾波器發(fā)生頻偏，截止頻率侵入信道的上邊緣。其結(jié)果將是功率輸出將在信道的上邊緣處偏低。這個(gè)故障在頻帶上側(cè)的1RB測(cè)試和12RB測(cè)試中都會(huì)顯示出來(lái)，也就是測(cè)試配置3和8中的功率測(cè)量。故障在50RB塊的EVM平坦度測(cè)量中也可以顯示出來(lái)。