2602型源表應用測試類型（一）

激光二極管模組常常是配備了調制或衰減控制輸入引腳，因而在LIV測試掃描中，可能需要加入2400型或2601型源表對衰減輸入端施加偏置。

正向電壓測試

正向電壓由多子電流流動形成，因而是半導體材料和結溫的函數。

正向電壓測試可以在激光二極管和背光探測器上進行，用以確定半導體結的正向操作電壓。一般地，2602型源表用以提供足夠小的源電流（以防器件損傷），然后測量半導體結上的電壓。鑒于探測器所用的半導體材料的溫度系數一般為2mV/℃，半導體結的溫度必須事前獲知或進行控制。

反向擊穿電壓測試

隨著反向偏壓增加，少子穿過半導體結的速度增加。在一定的反向偏壓下，載流子所攜帶的能量足以通過碰撞引起電離作用。這時的反向偏壓稱為反向擊穿電壓。通過很好的控制反向擊穿電壓下的電流，可以避免半導體結被毀壞。

反向擊穿電壓測試可以在激光二極管和背光探測器上進行。無損反向擊穿電壓測試可以通過提供-10μA源電流并測量相應的半導體結電壓實現。2602源表是這一測量的理想選擇。

漏電流測試

反偏的半導體結（略低于擊穿電壓的偏置電壓下）會出現由少子渡過耗盡區產生的漏電流。漏電流的大小由電子電荷、摻雜濃度、半導體結面積和溫度決定。激光二極管和背光探測器的漏電流測試由2602源表系統進行。一般，在半導體結上施加反向擊穿電壓的80%，然后測量相應的漏電流。

對于光電二極管，這項測試同時可用于暗電流測量。將激光二極管的偏置電壓設置到零，通過在半導體結上施加一個電壓偏置并測量流過的電流，可得到暗電流的值。在這項測量中，關鍵在于確保雜散光子不會碰撞到激光二極管或背光探測器上。