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        STM32F10x Flash 模擬 EEPROM

        作者: 時間:2016-11-26 來源:網絡 收藏
        STM32F10x芯片本身沒有集成EEPROM,替代方案是用片上Flash模擬EEPROM。Flash與EEPROM的區別主要是:一、EEPROM可以按位擦寫,而Flash只能按塊(頁)擦除;二、Flash的擦除壽命約1 萬次,較EEPROM低一個量級。ST網站有個Flash模擬EEPROM的范例:AN2594: EEPROM emulation in STM32F10x microcontrollers(包括源碼和文檔)。范例在保存修改的數據時,以寫入新數據來替代對原數據的修改,并使用兩個頁面輪流寫入,單頁寫滿后進行數據遷移,再一次性擦除舊頁面。這個策略可以有效降低Flash擦除次數。

          不過,范例代碼只能保存固定大小的數據(16bits),雖然容易改成不同的固定大小,但實際用起來還是很不方便。我改寫了一下,新的特性包括:

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/201611/321584.htm
        • 支持不同大小數據(字符數組、結構體等)的混合存儲;
        • 增加對數據的校驗和(Checksum)檢查。

          附件提供了源碼。使用方法很簡單,比如要保存一個字符數組title和一個point結構體:

        #include"eeprom.h"
        #defineTITLE_SIZE80
        #defineTITLE_KEY1
        #definePOINT_KEY2
        typedefstruct{
        floatx;
        floaty;
        floatz;
        }Point;
        chartitle[TITLE_SIZE]="eepromteststring.";
        Pointpoint;

          執行必要的初始化操作后,就可以進行寫入和讀取:

        uint16_tresult=0;
        FLASH_Unlock();
        EE_Init();
        result=memcpy_to_eeprom_with_checksum(TITLE_KEY,title,TITLE_SIZE);
        result=memcpy_to_eeprom_with_checksum(POINT_KEY,&point,sizeof(point));
        result=memcpy_from_eeprom_with_checksum(title,TITLE_KEY,TITLE_SIZE);
        result=memcpy_from_eeprom_with_checksum(&point,POINT_KEY,sizeof(point));

          實現混合存儲的辦法,是給每個變量附加8字節的控制信息。因此,在存儲小數據時會有較大的空間損耗,而在存儲較大的數據結構時空間利用率更高(相對于范例)。代碼是針對STM32F103VE的實現。不同芯片需要對應修改頭文件中EEPROM_START_ADDRESS的定義:

        #defineEEPROM_START_ADDRESS((uint32_t)0x0807F000)

        附件:STM32F10x_EEPROM_Emulation.zip




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