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        寫MSP430片內flash

        作者: 時間:2016-11-25 來源:網絡 收藏

        Flash 存儲器被分割成兩部分:主存儲器和信息存儲器,兩者在操作上沒有什么區別。兩部分的區別在于段的大小和物理地址的不同。

        以Msp430F149為例,信息存儲器有兩個128字節的段,即segmentA和segmentB,主存儲器有多個512字節的段。Msp430F149內部Flash的地址為0x1000H~0xFFFFH,計60K。信息段SegA的起始地址為0x1080H,信息段SegB的起始地址為0x1000H。

        3 Flash存儲器的操作

        在默認狀態下,處于讀操作模式。在讀操作模式中,Flash存儲器不能被擦除和寫入,時序發生器和電壓發生被關閉,存儲器操作指向ROM區。

        Msp430 Flash存儲器在系統編程ISP(in-system programmable)不需要額外的外部電壓。CPU能夠對Flash直接編程。Flash存儲器的寫入/擦除通過BLKWRT、WRT、MERAS、ERASE等位確定。

        3.1 擦除

        Flash存儲器各位的缺省值為1,每一位都可以單獨編程為0,但只有擦除操作才能將其恢復為1。擦除操作的最小單位是段。通過erase和meras位設置可選擇3種擦除模式。


        MERAS


        ERASE


        擦除模式


        0


        1


        段擦除


        1


        0


        多段擦除(所有主存儲器的段)


        1


        1


        整體擦除(LOCKA=0時,擦除所有主存儲器和信息存儲器的段;主存儲器的段只有當LOCKA=0時可以擦除)


        擦除操作開始于對擦除的地址范圍內的任意位置執行一次空寫入。空寫入的目的是啟動時序發生器和擦除操作。在空寫入操作之后,BUSY位自動置位,并保持到擦除周期結束。BUSY、MERAS、ERASE在擦除周期結束后自動復位。

        3.2 寫入

        寫入模式由WRT和BLKWRT位進行設置。


        BLKWRT(塊寫入模式選擇)


        WRT(寫模式選擇位)


        寫入模式


        0


        1


        單字節、單字寫入


        1


        1


        塊寫入

        所有的寫入模式使用一系列特有的寫入命令,采用塊寫入的速度大約是單個寫入的2

        倍,因為電壓發生器在塊寫入完成器件均能保持。對于這兩種寫入模式,任何能修改目的操作數的指令均能用于修改地址。一個Flash字不能再擦除器件進行兩次以上的寫入。

        當啟動寫入操作時,BUSY置位,寫入結束時復位。

        4 操作編程

        4.1 Flash擦除

        對Flash要寫入數據,必須先擦除相應的段,且對Flash存儲器的擦除必須是整段進行的,可以一段一段擦,也可以多段一起擦除。擦除操作的順序如下:

        1) 選擇適當的時鐘源和分頻因子;

        2) 清除LOCK位

        3) 判斷BUSY位,只有當BUSY=0時才可以執行下一步

        4) 使能段操作,設置ERASE、MERAS位等(如果是擦除一段,則ERASE=1,如果擦除多段,則MERAS=1,如果擦除整個Flash,則ERASE=1,MERAS=1)

        5) 對擦除的地址范圍內的任意位置作一次空寫入,以啟動擦除操作

        6) 在擦除周期內,時鐘源始終有效,不修改分頻因子

        7) 操作完成后,置位LOCK

        根據上述操作順序,編寫程序代碼如下:

        void FlashErase(unsigned int adr)

        {

        uchar *p0;

        (關閉中斷:_DINT();//關閉總中斷 本人注)

        FCTL2 = FWKEY + FSSEL_1 + FN3 + FN4;//選擇時鐘源,分頻

        FCTL3 = FWKEY;//清除LOCK

        while(FCTL3 & BUSY);//如果出于忙,則等待

        FCTL1 = FWKEY + ERASE;//使能段操作

        p0 = (unsigned char *)adr;//數值強制轉換成指針

        *p0 = 0; //向段內任意地址寫0,即空寫入,啟動擦除操作

        FCTL1 = FWKEY;

        FCTL3 = FWKEY + LOCK;

        while(FCTL3 & BUSY);( _EINT(); //開總中斷 本人注)

        }

        4.2 寫入

        對Flash的寫入數據可以是單字、單字節,也可以是連續多個字或字節(即塊操作)。編程寫入操作的順序如下:

        1) 選擇適當的時鐘源和分頻因子;

        2) 清除LOCK位

        3) 判斷BUSY位,只有當BUSY=0時才可以執行下一步操作

        4) 使能寫入功能,設置WRT、BLKWRT(如果寫入單字或單字節則WRT=1,如果是塊寫入,或者是多字、多字節連續寫入則WRT=1,BLKWRT=1);

        5) 判斷BUSY位,只有當BUSY=0時才可以執行下一步操作

        6) 寫入數據

        7) 判忙,完了之后清除WRT,置位LOCK

        根據上述操作順序,編寫程序代碼如下:

        //write single byte

        //Adr 為要編程的地址,沒有奇偶地址要求、DataB為要編程的字節數據

        void FlashWB(unsigned char Adr,unsigned char DataB)

        {

        FCTL2 = FWKEY + FSSEL_1 + FN3 + FN4;//MCLK 16*FN4 + 8*FN3

        FCTL3 = FWKEY;

        FCTL1 = FWKEY + WRT;

        while(FCTL3 & BUSY);

        *((unsigned int *)Adr)=DataB;//數值強制轉換成指針,指向地址數據Adr所表示的內存單元(*((unsignedchar *)Adr)?本人注)

        //將數據字DataW賦值給內存單元

        FCTL1 = FWKEY;

        FCTL3 = FWKEY + LOCK;

        while(FCTL3 & BUSY);

        }

        //write single word

        //Adr 為要編程的地址,應該是偶地址、DataW為要編程的字數據



        關鍵詞: MSP430片內flas

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