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        AVR單片機內部EEPROM詳解

        作者: 時間:2016-11-24 來源:網絡 收藏
        AVR單片機內部EEPROM詳解

        使用EEPROM倒是挺簡單的,無非是讀和寫操作,首先需要判斷是否在讀寫中,判斷讀寫忙標志,然后要保證讀寫時不能被打斷即要關中斷,接著要寫入到寫數據的地址,接著寫數據,再將地址和數據控制位置位下,數據就寫進了,最后別忘了開中斷。讀數據時,只要寫入地址,然后將讀控制位置位,再從寄存器EEDR中讀出數據即可。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/201611/320647.htm

        以上用法是簡單用法,當然這種用法不能用在實際工程應用中的,因為寫數據需要8ms的時間,系統當然不允許一直等待這8ms的,在本文下面介紹了一種比較好的方式,來安排系統工作的時間。當然前提是要理解清楚最簡單的工作模式。

        一、簡單的工作模式

        void EEPROM_write(unsigned int uiAddress,unsigned char ucData)
        {
        while(EECR&(1< //判斷讀寫忙標志

        CLI();
        EEAR = uiAddress; //寫入地址
        EEDR = ucData; //送入數據
        EECR |=(1< //地址和寫控制位鎖存,即可
        EECR |=(1<

        SEI();
        }

        unsigned char EEPROM_read(unsigned int uiAddress)
        {
        while(EECR&(1< //判斷讀寫忙標志

        CLI();
        EEAR = uiAddress; //送入地址
        EECR |=(1< //讀位置位

        SEI();
        return EEDR;//返回數據
        }

        讀和寫的操作如下面所示 讀寫數據時要從0x01開始 ,00地址有bug(數據手冊上講的)

        temp=EEPROM_read(0x01);
        EEPROM_write(0x01,temp);

        二、提升篇-使用緩沖機構的操作

        思路是這樣的:首先建立讀寫緩沖區,把需要寫的數據放入到寫緩沖區中,由于在AVR單片機中,寫一個數據時比較慢的大概要8ms吧,這么長的時間肯定不能一直while等下去,因此我們用中斷在處理,等單片機EEPROM程序寫好了就有ready中斷,這時就能讀寫操作了,寫的時候從寫緩沖區中取出數據,寫的時候要注意不允許讀,經過一段時間后就完成了,而且我們發現寫的時候只是把數據送入到單片機中的一個寄存器中,至于EEPROM什么時候來讀這個寄存器直至寫完,我們也沒有必要管他,因為他操作好了會中斷告訴我們,從而這8ms還可以用來執行其它的程序了,就這樣直到所有的數據都寫完了。

        #pragma interrupt_handler vIvEeReady:iv_EE_READY
        void vIvEeReady(void)
        {
        if(!fgEepromBufEmpty()) //緩沖區數據還沒完全寫到EPPROM中
        {
        CLI(); //寫的時候不希望有別的中斷
        EEAR = _sEepromBuf[_bEepromBufRdPtr].wAddress;
        EEDR = _sEepromBuf[_bEepromBufRdPtr].bVal; //數據寫入
        EECR |= BIT(EEMWE);
        EECR |= BIT(EEWE);
        SEI(); //寫好這個就打開,盡可能滿足實時性
        _bEepromBufRdPtr++; //指向下一個緩沖數據
        if(_bEepromBufRdPtr >= EEPROM_WRITE_BUF_SIZE) //到了緩沖區頂了
        {
        _bEepromBufRdPtr = 0; //從頭部開始計數
        }
        _bEepromBufNs--; //當前還沒有寫入EEPROM的數
        }
        else
        {
        EECR &= ~BIT(EERIE); //都寫好了就把中斷關閉掉
        }
        }


        uchar bWriteData2Eeprom(uint wAddress, uchar bVal)
        {
        if(fgEepromBufFull()) //是否達到緩沖定義的最大值
        {
        return RET_BUSY;
        }

        CLI(); //關中斷?這里應該放在中斷函數里面的
        _sEepromBuf[_bEepromBufWrPtr].wAddress = wAddress;
        _sEepromBuf[_bEepromBufWrPtr].bVal = bVal;
        _bEepromBufWrPtr++;
        if(_bEepromBufWrPtr >= EEPROM_WRITE_BUF_SIZE) //寫滿了就從頭開始寫
        { //需要保證數據不丟失
        _bEepromBufWrPtr = 0;
        }
        _bEepromBufNs++; //寫一個計數就加一下
        EECR |= BIT(EERIE); //寫一個數據后這里打開了中斷
        SEI();

        return RET_SUCCESS;
        }


        // Notice! The programer must ensure the EEPROM is NOT in writing state.
        uchar bReadDataFromEeprom(uint wAddress, uchar *pbVal)
        {
        if(EECR & BIT(EEWE)) //沒有在寫時才能讀取,一般放在程序開始時
        {
        return RET_BUSY;
        }

        EEAR = wAddress; //送入地址
        EECR |= BIT(EERE); //讀鎖存
        *pbVal = EEDR; //取出數據
        return RET_SUCCESS; //讀取成功
        }


        BYTE bGetEepromWrBuf(void)
        {
        return _bEepromBufNs; //讀取當前剩余的沒寫入的數據
        }


        void bClrEepromBuf(void)
        {
        CLI();
        _bEepromBufNs = 0;
        _bEepromBufRdPtr = _bEepromBufWrPtr;
        EECR &= ~BIT(EERIE);
        SEI();
        }


        BOOL fgEepromWizard(void)
        {
        BOOL fgRet = FALSE;

        return fgRet;
        }


        void vInitEeprom(void)
        {
        EECR = 0x00; //EEPROM控制寄存器清零
        _bEepromBufWrPtr = 0; //讀寫指針和數據計數清零
        _bEepromBufRdPtr = 0;
        _bEepromBufNs = 0;
        }



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