STM32掉電檢測+Flash存取
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1、搞定Flash擦、寫函數。
voidF_ErasePage(u32Page_Address)
{
U32tmp;
while((FLASH->SR&FLASH_FLAG_BSY)==FLASH_FLAG_BSY)
{//PutCnstStr2Usart1("waitingn");}
FLASH->SR|=FLASH_FLAG_PGERR;
FLASH->CR|=CR_PER_Set;
FLASH->AR=Page_Address;
FLASH->CR|=CR_STRT_Set;
while((FLASH->SR&FLASH_FLAG_BSY)==FLASH_FLAG_BSY)
{//PutCnstStr2Usart1("waitingn");}
FLASH->CR&=~CR_PER_Set;//這個不能忘
}
voidFLASH_Program(u32Address,u16Data)
{
U32tmp;
Fstart:
if((FLASH->CR&CR_LOCK_Set)==CR_LOCK_Set)//如果寫被鎖死
{
FLASH->KEYR=FLASH_KEY1;
FLASH->KEYR=FLASH_KEY2;
//PutCnstStr2Usart1("Unclockn");
}
while((FLASH->SR&FLASH_FLAG_BSY)==FLASH_FLAG_BSY)
{
//PutCnstStr2Usart1("waitingn");
}
FLASH->CR|=CR_PG_Set;
*(vu16*)Address=Data;
FLASH->CR&=~CR_PG_Set;
if((FLASH->SR&FLASH_FLAG_PGERR)==FLASH_FLAG_PGERR)
{
//PutCnstStr2Usart1("Noearasen");
F_ErasePage(Address);
gotoFstart;//竟然用了goto，咳咳^_^
}
}
有了這兩個函數基本就行了，反正一次要擦一個page，全拿過來保存參數就行了，比較可靠。
U16constflashdata[1024]__at(0x08001000);//因為flash一次能且只能寫16bit，另外訪問奇地址會出錯。
還有不要忘了#include，絕對定位全靠它了。
將要保存的參數放到一個結構里面，每次上電復位的時候加載，需要存儲時寫入flash
2、搞定掉電檢測
voidPVD_Init(void)
{
NVIC_InitTypeDefNVIC_InitStruct;
NVIC_InitStruct.NVIC_IRQChannel=PVD_IRQChannel;
NVIC_InitStruct.NVIC_IRQChannelPreemptionPriority=0x00;
NVIC_InitStruct.NVIC_IRQChannelSubPriority=0x00;
NVIC_InitStruct.NVIC_IRQChannelCmd=ENABLE;
RCC_APB1PeriphClockCmd(RCC_APB1Periph_TIM2|RCC_APB1Periph_TIM3|
RCC_APB1Periph_TIM4|RCC_APB1Periph_USART2|RCC_APB1Periph_PWR,ENABLE);//_PWR,ENABLE);//這個是必需的
PWR->CR|=1<<4;//使能
PWR->CR|=0xE0;//2.9V檢測
NVIC_Init(&NVIC_InitStruct);//借用一下庫，允許中斷
}
寄存器設置有效，手動置相應中斷標志可進入中斷
3、聯合工作，失敗
voidPVD_IRQHandler(void)
{
U16i;
U32tmp;
tmp=0x08001000;
if((PWR->CSR&PWR_FLAG_PVDO)==PWR_FLAG_PVDO)//低于閾值（電壓回升也會中斷）
{
F_ErasePage(tmp);
for(i=0;i<2000;i++)
{
FLASH_Program(tmp,i);
tmp+=2;
}
}
}
分析：1、Vdda經過LC濾波可能會比Vdd掉的慢，而據說stm32會因此產生檢測問題。2、電源回路電容量小，時間來不及。
嘗試：從ATX電源上拆了一個1000uF的電容，接上，無改善。
思考：把掉電檢測跟電源腳做在一起實在意義不大，一般情況下MCU的電源都是經過LDO穩壓的，掉電檢測使用專門的IO，可以用穩壓器前的電壓用于檢測。
由于目前還不能對電路板進行破壞性改造，手頭也沒有示波器，可調電源，暫時放棄對此做進一步的研究。
套用某大人物的邏輯，這次嘗試是部分失敗
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