氮化鎵/碳化硅技術真的能主導我們的生活方式？

　　對于第三代半導體創新創業企業，有一個建議：不要在天使輪和A輪估值過高，為持續的融資保留升值空間。第三代半導體企業在短期內爆發性增長是不現實的，要做長期奮斗的準備。

　　在大力推廣GaN和SiC第三代半導體產業的同時，要警惕投機利用這個話題弄虛作假忽悠項目，利用政府的產業支持政策謀取利益。

　　最近我們在很多媒體上看到某些不靠譜的報道，某些企業一夜之間就完成基體材料、外延材料，器件、模塊封裝甚至電源方案的全部技術突破，并定型產品。真是這樣嗎?這讓CREE工作20-30年的工程師情何以堪?這樣的后果幾年以后就會破壞整個第三代半導體行業的名聲，嚴重阻礙了第三代半導體的健康發展。

　　最后一個算附加問題，你回國做科研或創業有四、五個年頭了，作為海歸能否談談在國內做科研有哪些深刻體會，海歸創業有哪些優勢與劣勢?

　　在我5年的回國經歷應該是比較獨特的，如果按照社會上對于成功的定義，我基本上算作海歸里面不成功的。但是我自己感覺在這5年的過程中，收獲頗豐，不僅僅是創業過程中的心得，即使在技術上沒有放棄創新突破，特別是做了一些非常有意思的跨界技術。

　　我個人覺得留學海歸相對于國內的科研人員在對待科學問題和技術問題上更純粹，比較求道。而且人生追求和科研目標很清晰，有非常強的時間觀念和團隊合作觀念，效率非常高。而國內科研人員比較隨意，沒有時間觀念，比較獨，缺乏溝通和表達，項目完成效率低。

　　而且很多海歸就是海外公司資深的一線研發人員，也是在技術競爭中闖出來的，經歷過一代代產品的開發到市場銷售的全過程;更深入理解器件性能，掌控關鍵設計、工藝、應用的技術細節，能夠更快的跟上市場變化，更快地推出產品。

　　但是海歸要自己認識到，技術領先是由于海外的體系優勢支撐的，技術是有壽命的會逐步變得不領先。回到國內，沒有一個體系支撐，如何保持持續的研發能力，保持綜合優勢是每個海歸面臨的最大課題之一。

　　我個人還是比較幸運，在科學院里面結識了一批志同道合的朋友，相互啟發做出了一些新的技術，有些技術完全是在全新的領域開發出的黑科技。這一點我還是蠻自豪的，在這個環境里能夠保持研發的能力。我可以自信的說和五年前相比，我更值錢了。

　　海歸創業在市場拓展和技術上還是具有相對優勢的，然而把這些優勢充分發揮出來需要一個完整的團隊體系。像創立AOS那樣，成建制離開Vishay復制一個完整運營模式才真正能夠迅速成就一個事業。所以團隊建設是創業能否成功的關鍵。

　　海歸創業初期最大的本錢就是從國外帶回來的技術，強大的技術優勢是成功的基石之一。同時避免公司的存亡過分依賴于某單一技術和產品的開發，直接做SiC和GaN功率器件，市場接受程度沒有那么快;Si基VDMOS不那么高科技，但是如果有需求，不妨先賣起來把公司運營起來，畢竟公司的生存是靠銷售而不是項目經費。即使海帶回當時國外最先進的技術，產品技術是有時間壽命的，因此必須考慮下一代兩代產品的開發路線圖，這樣產能保證公司的可持續發展，而不是只做“一代拳王”。

　　我們目前正在按照既有的目標一步一步的往下走，雖重重困難但我們仍積極樂觀。最后一點希望，很多海外公司各部門回來很多大牛，都散落到各地做千人當百人創立各自的公司，其實這是個巨大的資源浪費。如果通過投資機構或者其他經濟資源整合這些力量，就能形成合力，真正地在市場上與國際大廠分庭抗禮。