ISSCC2007帶領制程技術跨越65nm障礙

每年一次的半導體產業盛會ISSCC(International Solid-State Circuits Conference)，2007年也在眾多業者發表最新研發成果的聲勢下，2月15日正式劃下句點，而支撐起這個句點的背后，更是無數令人贊嘆的焦點和研發成果。就如同過去一樣，當ISSCC結束后，審視會議的各項研究發表，可以發現，在未來半導體技術的進步速度，已經快要超乎摩爾當初的預期，而發展的方向從制程的細微化、邏輯閘數量，開始朝向低功耗、多元化材料、多運算功能發展，也就是說，不僅深度呈現跳躍式的的進步，在廣度的部份，更是涵蓋了更為寬闊的應用和成長。

2007年的ISSCC從2月11日展開，整個活動為期5天，前后2天分別是研討會形式的演講，而中間的1214日三天則是各業者研發成果的發表。整個活動會場，從11日開始便圍繞在低耗電、高速和高效能的氣氛之中，其中，包括來自英特爾、IBM、東芝、索尼計算機娛樂等大廠的演講，更是成為所有參觀者注目的焦點。

對于65nm制程的跨越　DFM扮演相當關鍵的因素

在ISSCC 2007的演講活動中，聚集了當今全球半導體產業中各領域的菁英，包括TSMC董事長張忠謀、Analog Devices技術副總裁兼技術專家Lewis W. Counts、ST董事Joel Hartmann…等等，針對其所擅長的技術部份，發表相關精辟的演講。

TSMC董事長張忠謀認為，目前TSMC必須開始對自身進行改變，因為對于65nm制程的CMOS芯片來說，其設計成本是90nm制程時的2倍以上，此外還包括了工廠的建設成本、研究開發成本，也不斷的伴隨著制程的微細化而逐漸上升，所以如過還是停留在過去由客戶設計IC、代工廠進行生產的簡單模式，相信在未來艱的市場環境中將難以生存，所以在這之中，能否完成DFM便扮演了相當關鍵的因素，達到從設計規劃開始、包括實體的設計、制造等各方面，工廠與客戶之間能夠進行密切的合作，完成新產品的開發和生產。

對于這一點，ST董事Joel Hartmann也相當贊同，并且在其演說之中，驗證出其重要性，Hartmann認為，目前曝光技術使用的是193nm紫外線，但是為了面對未來更細微化的制程需求，有些工廠開始導入“浸潤式曝光”的技術，就表面上看來似乎是暫時解決了部分問題，但是因曝光引起的錯誤，仍然還是增加，這一方面就不得不與客戶共同努力，此外還包括因為制程的的微細化，導致了布線的電阻增大，嚴重的延遲傳送速度。這些種種的課題，都是必須透過采用DFM的概念來解決問題。