富士通與Nantero達成協議 2018年推出快1000倍的NRAM內存

　　富士通半導體和三重富士通半導體上周共同宣布宣布，他們已與總部位于美國的Nantero公司達成協議，授權該公司的碳納米管內存(NRAM)技術，三方公司未來將致力于NRAM內存的開發與生產。據了解，借由NRAM技術所生產的內存速度將是當前普通內存的1,000倍。預計，借由三方面的合作，將在2018年推出借由55納米制程所生產的NRAM內存。

　　在納米技術研究領域，碳納米管(CNT)是一種很獨特的材料，直徑只有人類頭發的五萬分之一，能導熱導電，硬度是鋼鐵的50倍。在儲存領域，碳納米管通過矽基沉底也能達到0與1變化。因此，也可以用來當做儲存芯片使用，而且因為其特性為非揮發性，所以就算斷電也不會清除儲存在上面的資訊。

　　而由于碳納米管有著特別的特性，因此相較于當前的普通內存，NRAM芯片的具有非常強大的優勢。除了讀寫速度是普通閃存的1,000倍(Nanteo官網上表示是1,000倍)之外，同時可提供功耗更低，更具可靠性與耐用性的內存，而且生產成本更低。

　　富士通半導體系統內存副總裁松宮正人表示，借由Nantero公司的碳納米管技術而生產的非揮發性儲存內存是業界的一個超越了傳統技術的顯著進步。而富士通半導體自90年代以來，一直是在設計和生產非揮發性內存FRAM(鐵電隨機存取內存)的少數廠商之一。因此，富士通半導體具有整合FRAM設計和生產的能力。如今再與Nantero公司達成協議之后，未來將就由過去設計與生產FRAM的能力，用于開發NRAM內存，以滿足市場的需求。

　　Nantero董事長兼CEO Greg Schmergel指出，Nantero已經在碳納米管的內存儲存技術上研究了十多年，具備生產NRAM內存的先進技術。而本次與富士通半導體與三重富士通半導體兩家公司的合作，由于兩家公司都是全球生產儲存設備中最成功的企業之一。借由其在研發與生產FRAM的經驗，未來可以在NRAM內存的合作上產生更大的效益，建立更緊密的關系。

　　不過，對于此合作案，有業界人士指出，Nantero公司自從2006年就說要開始生產碳納米管內存了。但是，到現在一直沒什么特別的進展。未來，即便是跟富士通半導體達成了合做協議，量產的NRAM芯片容量還是不夠大，只適合一些嵌入式設備使用。所以，未來是不是能夠改變整個內存的生態，還有待進一步的觀察。