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        ARM攜手聯華電子共促ARM在28納米IP的領先地位

        作者: 時間:2016-02-06 來源:電子工程網 收藏

          2月5日消息, 宣布,從即日起全球晶圓專工領導者聯華電子(UMC)的28納米28HPC工藝可采用 Artisan物理平臺和 POP

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/201602/286811.htm

          此舉將擴大ARM在28納米的領先地位,使得ARM的生態合作伙伴能夠通過所有主要的晶圓代工廠獲得最廣泛的28納米基礎IP。該全面性平臺包括標準元件庫(standard cell libraries)和記憶編譯器(memory compilers)以及POP技術,可支持獲業界廣泛采用的64位ARM Cortex-A53,以及應用于超過10億部手機的高能效ARM Cortex-A7。

          ARM物理設計事業部總經理Will Abbey表示:”對于越來越多要求低功耗的應用來說,28納米處理器節點技術始終被認為是最合適的解決方案。聯華電子與ARM共同推出的全面性28納米平臺,包括了能支持ARM最受歡迎兩款處理器核心的POP IP。這將通過優化系統級芯片 (SoC)實施,實現與移動、物聯網和嵌入式市場的創新同步。”

          廣獲市場采用的ARM基礎28納米IP,為業界所有領先的晶圓代工廠提供一致的邏輯架構,并賦予多源外包更高的靈活性。這將有利于現有及新的28納米SoC設計,快速滿足數十億連網設備的需求。通過采用聯華電子28HPC工藝的POP IP,客戶可以更快速地響應市場需求變化并把握新的商機。

          聯華電子利用28納米的長節點特性,幫助越來越多應用獲取價格和性能優勢。聯華電子的28HPC是第二代HKMG 28納米工藝,它擁有比聯華電子量產的28HPM技術更佳的功耗和性能表現。采用更嚴格的工藝控制和SPICE模型,聯華電子的28HPC在任何特定的性能閥值條件下都能降低功耗并減少面積。

          聯華電子企業營銷副總簡山杰表示:“作為全球少數能夠提供28納米后閘極(gate-last)HKMG工藝的晶圓代工廠之一,聯華電子憑借在28納米領域所積累的經驗優勢,將推動28HPC工藝實現量產。許多來自不同應用領域的客戶已與聯華電子達成合作,采用28HPC工藝設計產品。通過與ARM之間的長期合作,聯華電子能夠為ARM兩款極高能效的處理器核提供全面的POP IP設計平臺。”



        關鍵詞: ARM IP

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