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        TRUEC2全閉環電流專利技術LED恒流控制技術

        作者: 時間:2012-08-28 來源:網絡 收藏

        1、引言

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/200121.htm

        針對照明負載特點,目前非隔離式的驅動電源的拓撲結構基本上是BUCK降壓結構,主流的方案是通過固定關斷時間來固定峰值電流,從而達到固定輸出電流的控制策略。本文將討論這種控制策略實現的原理,分析這種開環控制策略的優缺點,和應用這種控制策略需要做的外圍補償,同時基于占空比半導體公司新產品DU8608芯片,介紹這種全新的控制策略,詳細介紹這種控制策略如何突破性提高輸出電流精度,從開環到閉環是其本質的突破。

        2、原理與設計

        2.1 目前非隔離驅動電流領域主流的控制策略

        如圖1所示,電路是BUCK降壓結構,芯片控制的是MOSFET的源極,這是一種開環的恒流電流控制方式,控制原理如下:

        當MOSFET開通時,電流從DCBUS通過LED負載,流過電感,流入地。

        Vi-Vo=Ldi/dt=L*Ir/DT (1)

        當MOSFET關斷時,電感電流從D1續流。得出以下公式:

        Vo=Ldi/dt=L*Ir/(1-D)T (2)

        如圖2 ,Io(average)=Ipk-1/2*Ir (3)

        由(2)和(3)

        Io=Vref/Rs-Vo*(1-D)T/(2*L) (4)

        Vref和Rcs都是設定的定值,由于電流流過LED負載,如果電流固定,可以認為LED的電壓Vo是固定的,所以從式(4)看出,只要電感值L固定,再固定關斷時間(1-D)T, Io即固定。


        圖1、非隔離降壓恒流LED驅動電源示意圖


        圖2、開環控制策略中的電感電流波形

        所以,這種開環的控制策略是,連接在Rt的電阻設定MOSFET的關斷時間。每個周期開始,MOSFET 打開直到電感電流上升到峰值Vref/Rs,這時MOSFET 關斷,關斷時間由Rt決定。過了設定的關斷時間,MOSFET 又重新打開,這樣周而復始地工作。關斷時間控制了紋波電流LED 平均電流,根據想要輸出的電流值,調節CS管腳的Rs值,調節Rt值,固定每個開關周期的關斷時間為一個值,從而實現了輸出電流恒流。

        這是一種簡單有效的控制策略,但是由于這是一種開環控制模式,只能檢測電感上的峰值電流,無法檢測輸出電流,輸出電流精度在三種情況下容易出現偏差:

        1. 輸入電壓波動。(開環控制,無法反饋,系統延時造成)

        2. 批量生產電感感值偏差。(式4中,L變化引起Io變化)

        3. LED負載電壓不相同(Vo)

        對于第1種偏差,只能采取電壓補償的辦法,即檢測輸入電壓,根據輸入電壓調整內部CS參考電平值,但是效果一般,對于第2種和第3種偏差,比較難解決。

        一種全新的全閉環控制策略可以完全避免上述幾種偏差,從根本上實現真正的LED恒流。

        2.2 DU8608 如何實現真正全閉環的恒流控制


        圖3、全閉環非隔離降壓恒流LED驅動電源示意圖

        所謂的閉環,即真正檢測輸出電流值,以此為標準來發出PWM信號。所謂開環,不以檢測到的輸出電流值來做發出PWM信號的參考。從電路拓撲上,二者沒有區別。但是在芯片內部對檢測到的如圖3 CS腳電感電流信號,做專利技術處理,如圖4 部分。這樣,就檢測到了電感電流的平均值,也就是輸出電流的平均值。芯片針對檢測到的值,控制輸出占空比,實現了閉環控制。這種控制結構,同時使得線路極為簡單,圖3和圖1相比,省去了開環控制所需的輸入電壓補償線路,省卻了控制固定關斷時間所需的Rt電阻。值得一提的是,由于閉環控制電流,相比于開環方式,此線路具有電感短路保護功能,同時具備Rcs采樣電阻的開路、短路保護功能。這在生產應用中是非常重要的,這相當于大大降低了系統發生故障的風險。使得這種方案不僅在性能上有了質的飛躍,在可靠性上也大大提高。


        圖4、DU8608內部功能圖


        圖5、部分工作示意


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