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        高功率近場卡塞格倫天線的設計

        作者: 時間:2009-08-06 來源:網絡 收藏

        引 言
        微波(High Power Microwave,HPM)或稱高能微波,一般指峰值功率在1 00 mW以上,工作頻率在1~30 GHz(相應波長為300~10 mm)的電磁波。研究表明,當微波功率密度達O.01~1μW,/cm2時,可使工作在相應頻段上的雷達和通訊設備受到干擾,不能正常工作;當功率密度達 O.01~1 W/cm2時,可使雷達、通信、導航等設備的微波器件性能降低或失效;當功率密度達10~100 W/cm2時,可使工作在任何波段的電子元器件失效,導致武器設備喪失功能,造成機毀人亡的后果。因此,對近場卡塞格倫天線系統的研究是很有必要的。
        微波武器系統中,天線的主要作用就是把輻射的高功率微波電磁能量聚集成極窄的波束,使微波能量高度集中,從而以極高的能量強度發射出去照射目標,破壞武器系統和損傷作戰人員。目前,國內外通常選擇雙反射面天線作為該系統的基本形式。高功率微波天線與常規天線最主要的區別在于其功率容量。為了避免出現打火現象,將排除環焦天線和格里高利天線,原因在于其固有結構會因二次聚焦而出現嚴重的空氣擊穿,故選擇近場卡塞格倫天線形式。
        在實際工程設計中,受工作平臺尺寸的限制,為了獲得好的性能指標需要平衡兩個矛盾:
        (1)高功率與高指標之問的矛盾,即高功率要求饋源口徑尺寸很大,就意味著副面的尺寸不能太小,否則會有漏射,故而會降低主面的有效面積;
        (2)有限空間與高指標之間的矛盾,天線的主面尺寸和副面尺寸不能同時滿足副面繞射損失足夠小和副面電平足夠低的要求,因此主瓣增益會有損失。
        本文系統地給出了高功率近場卡塞格倫天。利用內壁光滑的指數型多模喇叭滿足高功率微波天線對饋源高功率容量和良好輻射特性的要求。內壁光滑的指數型多模喇叭加載介質透鏡可以實現對近場卡塞格倫天線副面的平面波照射。最后,在平衡兩個矛盾的基礎上通過優化設計獲得了X頻段的高功率近場卡塞格倫天線結構尺寸,其理論功率容量大于600 mW。實測結果與仿真結果吻合良好,證明該設計方案的可行性。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/195765.htm

        1 近場卡式天線模型的分析
        如圖1所示,近場卡塞格倫天線是卡塞格倫天線的一種特例,它用拋物面作為副面,用平面波照射副面,構成這種天線的主面和副面共焦于O點。多模喇叭加載介質透鏡作為饋源,該饋源能夠輻射出平面波。該饋源有如下優點:
        (1)軸向輻射,方向性好;
        (2)結構簡單,功率容量高;
        (3)利用平面波照射,副面的漏射小;
        (4)便于密封,喇叭口徑上的介質透鏡同時可以作為密封罩。

        1.1 指數型多模喇叭
        多模喇叭的物理機制可表述如下:通常由于主模為TE11模的喇叭,其E面方向圖比H面方向圖窄,不能形成旋轉軸對稱的輻射方向圖,其峰值交叉極化電平也必然高。TE1n模對H面和E面的方向圖都有貢獻,而TM1n模上對E面方向圖有貢獻,對H面方向圖沒有貢獻。如果在主模饋源中引入產生高次模TM11及其他高次模的裝置,而且合適地配置高次模與主模的相對相位,充分利用TM1n模只對E面方向圖有貢獻,而對H面方向圖沒有貢獻這一特性,就可獲得旋轉軸對稱的方向圖,實現等化波束的目的。
        內壁光滑的指數型曲線喇叭工作的基本機制是:隨著喇叭曲線曲率的不斷變化會不斷激勵出高次模,這樣就可以通過曲線對波束進行賦形,最終使喇叭輻射的方向圖具有旋轉軸對稱性。
        指數型多模喇叭的結構如圖2所示。其主要參數有:輸入端圓波導的直徑d1、指數型喇叭口面直徑d2、輸入端圓波導的長度L1和喇叭指數線部分的長度L2。其中,指數曲線滿足下面的指數方程:


        指數型多模喇叭設計的原則是改變指數方程參數對波束進行賦形,最終使喇叭輻射的方向圖具有旋轉軸對稱性。如果令a=1和c=0,那么指數方程的可調參量就剩下k和q。利用電磁仿真軟件可以完成對指數型多模喇叭進行仿真優化,確定指數方程中的k和q,得到滿足要求的指數型多模喇叭。

         

        1.2 雙曲型介質透鏡
        介質透鏡喇叭天線是一種傳統的微波天線,獲得了廣泛的應用。考慮到工程上的可實現性以及功率容量問題。設計緊湊型高功率饋源,首選介質透鏡。介質透鏡的折射率都大于1,是根據幾何光學的兩個基本原理設計的:
        費馬原理:光或電磁波沿著光程為極值的路程傳播;
        斯奈爾定律:光或電磁波通過兩種不同介質邊界面時的折射率定律為:


        式中:θi為入射角;θt為折射角;n為第二種介質相對于第一種介質的折射率。


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        關鍵詞: 高功率 線的設計

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