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        D類音頻前置運算放大器的噪聲分析與設計

        作者: 時間:2009-04-29 來源:網絡 收藏
         3 電路設計及物理層設計

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/188941.htm

          由以上噪聲特性的分析可以看出,要改善的噪聲需要選擇合適的電阻及合適的MOS管的柵寬長比,本文應用Winbond 0.5μ CMOS典型工藝,對運放噪聲進行了分析,如圖6和圖7,其中L1L2L3。

          

          由圖6和圖7可以看出,輸入管及負載管L越大,噪聲特性越好,但由于版圖及穩(wěn)定性的要求,不可能使用過大的L值;通過同樣的仿真,對輸入的寬長比,我們也可以得到類似的結論;因此,本文的運放選擇合適的電阻及輸入級和負載管的寬長比,完成了很好的設計,圖8給出了詳細電路圖,且表1給出了其設計的基本仿真結果。

          

          由表1仿真結果可以看出,運放采用低靜態(tài)電流設計,實現較低的噪盧特性、較高的電源抑制比,及較快的轉換速率等。

          

          圖9是前置在功率放大器中的完整版圖,使用Winbond 0.5μCMOS工藝,此工藝本身對襯底的噪聲有一定的抑制,對功率放大器的設計提供了很好的前提,上圖的3個框分別為外部反饋電阻、內部結構及內部調零電阻,并且很好地實現了電阻電容及晶體管的匹配。

          

          4 結束語

          噪聲是運算放大器非常重要的參數,它決定了整個系統的靈敏度,本文從噪聲這個參數入手,分析了放大器中前置運放的噪聲特性,給出了改善噪聲的方法,并用winbond 0.5μCMOS工藝完成了相關設計。


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