新聞中心

        EEPW首頁 > 模擬技術 > 設計應用 > 無需緩沖器的反激式轉換器技術

        無需緩沖器的反激式轉換器技術

        作者: 時間:2009-12-09 來源:網絡 收藏

        利用這些假設,RCD箝位的功耗可以表示為存儲在電感器中的能量,具體如下:

        公式2

        換句話說,我們讓開關上的箝位電壓升得越高,總功耗越低。但是當然,我們必須對此進行平衡以防止總電壓出現在功率FET兩端,因此我們不能任意降低功耗。

        一個典型設計可用于電壓vx等于1/2反激電壓。在這種情況下,功耗等于存儲在漏感中能量的三倍,它不是一個立即可見的結果。然而,這是一個保守的估計。它沒有解釋電感器的有損放電,也沒有解釋雜散電容。實際上,由于這些結果,該設計的箝位損失將比預期的更少。

        高壓離線設計這些經常限制使用一個最高電壓為650或700V的FET,電壓vx將將很難限制所設定的最大輸入電壓、最大電流和FET擊穿電壓。不要超過FET規定的Vds,意識到擊穿可能隨溫度變化。一些設計人員依賴于FET的雪崩能力,讓它有規律地超過擊穿電壓。這不是為可靠的電源設計推薦的。

        設計步驟3――選擇箝位電阻器

        的電容器需要足夠大,以保持一個相對恒壓,同時吸收泄漏能量。除了這一考慮,其邏輯值要求不高,當正常工作時不會影響峰值電壓。

        電阻器在確定峰值電壓vx方面是至關重要的元件,因此需要根據以下公式選擇:

        公式3

        一個大數值電阻器將減緩箝位電容器的放電,有助于電壓提升到更高值。一個小數值電阻器將導致較低的箝位電壓,而功耗將增加。

        設計步驟4――計算功率損耗

        現在設計已經完成,但是我們經常還需要知道上述公式中,除了最差條件電流Ip,電流的功耗是多少。使用以下公式計算某一給定峰值電流I和漏感L的已知緩沖器的電壓上升。

        vx是電壓上升值,高于反激電壓,可以表示為:

        公式4

        功耗可以表示為:

        公式5

        設計步驟5――實驗驗證

        設計的實驗驗證是必不可少的,因為將出現沒有計入公式的結果,你的電路將出現非理想的元件。圖3所示為箝制FET漏極電壓峰值電路的效益。

        圖3. 帶有初級RCD箝位的漏極電壓。

        該數值還給出了一個RCD箝位限制。在箝制周期結束之后,電路恢復振鈴。采用理想的元件,這將不會發生。不過,RCD箝位的二極管有一個有限的反向恢復時間,有助于漏感電流流入二極管的相反方向,可導致振鈴。RCD緩沖器各種類型二極管選擇至關重要。它必須盡可能的快,具有合適的額定電壓。

        這個振鈴的嚴重程度將取決于RCD二極管兩端反向施加的電壓。你允許的箝位電壓爬得越高,功耗就越低,電壓越高且dv/dt施加在二極管上,振鈴將增加。

        通過采用RC緩沖器隨后的振鈴可以再一次被抑制。

        總結

        RCD箝位電路對所有非常有用,可以減少功率FET上的壓力。要確保箝位的目的是將最差工作條件下(高電壓和最大電流極限)的電壓限制低于元件的額定電壓。本文中的設計公式排除了來自箝位設計的猜測。


        上一頁 1 2 下一頁

        評論


        相關推薦

        技術專區

        關閉
        主站蜘蛛池模板: 鹿泉市| 砚山县| 仙桃市| 会宁县| 会同县| 民勤县| 高唐县| 衢州市| 双鸭山市| 凤凰县| 崇阳县| 兴化市| 安新县| 盐源县| 蕲春县| 磴口县| 车险| 岳阳县| 普陀区| 连州市| 宿松县| 沙坪坝区| 赣州市| 玛曲县| 汤原县| 宜城市| 扶风县| 宁波市| 益阳市| 华亭县| 门源| 定襄县| 乌拉特中旗| 威宁| 黔东| 富蕴县| 囊谦县| 巧家县| 定日县| 全州县| 通化县|