5.6GHz CMOS低噪聲放大器設計
文獻中給出源極電感負反饋的噪聲模型和計算噪聲的公式:

式中:RL、Rg分別代表柵極電感Lg的寄生電阻和M1的柵極電阻;ωT為截止頻率;γ是與工藝有關的一個噪聲參數。工藝參數X,α和反饋電感Ls的品質因數QL的表達式為

式中:c為柵-漏極噪聲的相關系數;σ是另一個與工藝相關的噪聲參數,且σ=2λ;gdO為M1零偏置時的跨導。
分析式(4)可知,QL存在一個最佳值,使LNA的噪聲為最小

2 LNA電路設計
設計過程中,首先根據功耗約束條件下獲得最優噪聲的柵寬公式,計算主放大管的柵寬
式中,ω為角頻率,L為柵長,Cox為柵氧化層電容,源電阻Rs=50Ω,QSP為噪聲最優匹配時輸入端的品質因數,取其值為4.5,可得柵寬大約為160 μm。所設計電路工作在5.6GHz,由式(1)(2)經計算和仿真,取Ls為0.439nH,Lg為2.873nH和Ld為2.546nH。
3 仿真結果及其分析
本文設計的LNA采用TSMC 90nm RFCMOS低功耗工藝實現,使用MentorGraphics的Eldo仿真器對該LNA進行模擬分析。根據前面的分析和實際調試,得到優化后放大管和共柵管的柵寬均為160 μm;
圖2~7給出了電路的仿真結果。整個放大器電路的噪聲系數達到1.78dB;IIP3達到-11.76dB。在整個工作頻段,電路的穩定性因子K>1,其中K為:
電路是穩定的。
各項仿真結果指標如表1所示:
4 結論
由于存在很多折衷考慮,射頻LNA的設計很復雜。本文設計了一個應用于無線接收機射頻前端的LNA,通過對共源共柵結構的分析,從阻抗匹配、噪聲系數和線性度的角度對電路的性能進行優化,設計出了一種5.6GHz的LNA。在90nm CMOS工藝下,利用MentorGralahics的Eldo工具軟件對電路進行了仿真,結果顯示,LNA的阻抗匹配、噪聲系數和線性度等參數都達到了良好的性能。
本文作者的創新點:在分析共源共柵結構的基礎上利用先進的90nm制程工藝,計算調試出5.6GHz的LNA的電路結構,對LNA的設計具有一定的參考價值。
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