內部電源用于邏輯器件的內部功率

內部電源用于邏輯器件內部節(jié)點的偏置和轉換。內部功率包括靜態(tài)功耗和動態(tài)功耗。

靜態(tài)內部功耗的定義是在無負載連接、輸入端處于隨機狀態(tài)的條件下的功耗求出所有可能的輸入狀態(tài)的平均值可以得到靜態(tài)功耗。

內部動態(tài)功耗常數K動態(tài)可以通過交替輸入某個預定頻率（F）信號的方法來測量，斷開輸出引腳的連接，在周期頻率為FHZ的條件測量得到總功率P總，而后計算動態(tài)功耗常數：K動態(tài)P總P靜態(tài)/F

動態(tài)功耗常數表明了周期頻率每增加1HZ將額外消耗的功率數。功耗常數K動態(tài)現在可以用于估算在其他任何頻率F下的總功耗：P總=P靜態(tài)+FK動態(tài)

上式總計了邏輯設備內部每個周期的額外能量損耗，但不包括因負載連接所導致的電路驅動級的額外能量損耗。注意，我們是在無負載的情況下做這個實驗的。

在非常寬的頻率范圍內，CMOS器件的內部功耗和周期頻率呈明顯的線性關系。這一關系很明顯，是因為CMOS電路的內部靜態(tài)功耗非常低。TTL器件也有同樣的現象，但其巨大的靜態(tài)功耗掩蓋了這一事實，直到周期頻率接近器件的最大工作頻率時才顯現出來。圖2.5描繪出幾種不同類型的TTL邏輯系列中每個門電路的內部功耗與工作頻率的關系曲線。在10MHZ以上，動態(tài)功耗遠遠大于靜態(tài)功耗，總功率曲線看起來與頻率成正比。在1MHZ以下，動態(tài)功耗小于靜態(tài)功耗，總功耗曲線相對于頻率看上去是平坦的。

與TTL和CMOS系列相比，ECL和GAAS系列邏輯器件的開關電壓范圍更小，隨著頻率的上升，功率只有很小的增長。注意，在式“功率=FCVCC的2次方”中電壓幅度V是平方形式的，因此一個電壓幅度為1.0V的ECL器件驅動容量為C的電容時消耗在驅動電路上能量，遠遠少于同樣負載情況下電壓幅度為5.0V的TTL器件。下式正好顯示了這一差別。

其中，F=周期，HZ
C=電容，F
△VECL=ECL開關電壓，V
△VTTL=TTL開關電壓，V

驅動同樣的負載電容時，ECL器件的動態(tài)功耗與TTL的動態(tài)功耗的比值為0.01。

ECL和GAAS器件的動態(tài)功耗與其靜態(tài)功耗的比值，遠遠小于TTL或CMOS電路的情況。某些CMOS器件的工作電壓范圍很寬。在這些CMOS器件的數據手冊中用等效電路CPD，這一術語來表示其內部功耗。按照這個模型，一個電源電壓為V，工作周期頻率為FHZ的CMOS門電路，其內部功耗為：

其中，CPD=等效功耗電容，F
V=開關電壓，V
F=開關頻率，HZ

這個模型將內部電容和疊加偏置電流的作用匯總到一起，雖然偏置電流的影響與電壓的平方并不是嚴格地成正比。