HP實(shí)驗(yàn)室開發(fā)出突破性儲存晶片技術(shù)

Chinabyte網(wǎng)站報導(dǎo)指出，惠普9日表示，已使用新的分子技術(shù)制造出一顆較以往更小的電腦記憶體晶片，可在一平方微米內(nèi)放進(jìn)64位元儲存單位。數(shù)千顆這樣的儲存單位僅有一縷頭發(fā)末端大小，不過其容量還太低，尚沒有太大用處，但對於奈米技術(shù)來說是個關(guān)鍵的進(jìn)步。

以目前的技術(shù)將晶片進(jìn)一步縮小的可能性，約十年內(nèi)會達(dá)到極限。目前，微小的電路和電晶體是利用光學(xué)設(shè)備在矽晶圓上進(jìn)行蝕刻。惠普特別研究員暨惠普實(shí)驗(yàn)室量子科學(xué)研究的主管威廉斯表示，“藉由分層置放分子開關(guān)的方式，容量和效能可大幅擴(kuò)增。”威廉斯在一份聲明中稱，“這是分子邏輯與儲存可在同樣的微小電路中共同運(yùn)作的首次展示。”

惠普的工作仍處於非常初步的階段，可能還需要許多年才能商業(yè)化，但卻是經(jīng)由在超薄的白金線柵操控分子，而首次結(jié)合了儲存與邏輯功能。目前的光刻晶片制造過程需要數(shù)周、甚至數(shù)月的時間，將電路一層層蝕刻在矽晶圓上。但惠普科學(xué)家所用的“蓋印”方式則可大大地減少制造時間。

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