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        一新型無損箝位電路在單端正激電源中的應用

        作者: 時間:2009-07-09 來源:網絡 收藏

        摘要:介紹了一種箝位在單中的, 詳細分析了工作原理,并給出了實驗結果。 敘詞:箝位 Abstract:Application of a new lossless clamp circuit for single ended forward converter is introduced, the operation principle of this circuit is analysed in detail,and the experiment result is also given. Keyword:lossless clamp
        1 引 言

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/181344.htm

          在各種隔離式變換器中,單激式變換器是其中最簡單且適合大電流輸出的一類,因而正激式變換成為低壓大電流功率變換器的首選拓撲結構。但因其高頻開關變壓器磁通工作在磁滯回線的一側,必須進行磁復位,以確保勵磁磁通在每一個開關周期開始時處于初始值。同時由于工作在高頻狀態下,開關變壓器漏感、分布電容等寄生參數的影響不能忽略,在開關轉換瞬時,電抗元件的能量充放致使功率器件承受很大的熱和電應力,并可導致開關管的電壓過沖,這不僅意味著設計人員必須選用昂貴的高耐壓功率開關管,同時也給的可靠性帶來潛在威脅。為此常常還需設置各種緩沖吸收,但這降低了變換器的工作效率。

          為了解決單激式開關中的磁復位與漏感儲能問題,傳統的解決方案有以下幾種:

          (1)、采用輔助繞組復位
          (2)、采用RCD箝位復位電路;
          (3)、采用有源箝位復位電路。

          其中方案1要求輔助繞組與初級繞組必須緊耦合,實際上因漏感的存在電路中仍需外加有損吸收網絡,以釋放其儲能;方案2是一種有損復位箝位方式,因其損耗的大小正比于電路的開關頻率,(和方案1中外加有損吸收網絡一樣)這不僅降低了電源本身的效率,也限制了電源設計頻率的提高;方案3中需要附加一復位開關管與相關控制電路,增加了電路復雜性的同時,也帶來了附加電路損耗與總成本的上升。

          本文介紹一種箝位電路,無須額外附加輔助開關管,電路簡單,可有效降低功率管的電壓應力,箝位效果優異,且有利于電源工作效率的提高。

        2 工作原理

          無損箝位電路(圖1)與上述方案1(圖2)中采用輔助繞組的傳統方法相類似,不同之處是增加一個箝位電容C2,但功率主回路上無需外加有損吸收網絡。傳統的方法是在變壓器中附加一個去磁繞組N3,它與二極管D3串聯后接到電源輸入正極,N3起到去磁復位作用,功率管S漏源間并聯的RC網絡,用于吸收變壓器的初級漏感儲能,防止產生過電壓尖峰,保護功率管S免被擊穿,見圖2所示。圖1中的箝位電路由輔助箝位繞組N3、箝位二極管D3、箝位電容C2組成。輔助箝位繞組N3的與初級繞組N1相同,目的是為了實現當功率開關管S漏源間電壓VS上升到2VI時,加在初級繞組N1上的電壓等于VI,因N1、N3匝數相等,箝位繞組N3的電壓也必然是VI,此時D3恰好正偏導通。


          下面結合圖1與圖3具體分析新型無損箝位電路的工作原理。

          1) T0時刻為初始狀態,設功率開關管S處于關斷狀態,此時(B點電壓)VS等于VI,箝位電容C2通過初級繞組N1、箝位繞組N3被充電至VI,電容極性為左負右正。

          2)在T1~T2期間,功率管S導通,由于箝位繞組與初級繞組電壓相同,參照圖1所示的同名端可知,VA為-VI,二極管D3反向偏置截止。在此期間,變換器實現功率的變換,能量從初級傳到次級。

          3)在T2時刻,功率管S關斷,變壓器中的漏感與磁化儲能給功率管等寄生分布電容充電,(B點電壓)VS最終上升到2VI,A點電位也從- VI 上升為+VI ,若此時B點電位進一步上升,二極管D3將正向偏置導通,功率管S漏源間的電壓VS通過電容C2和二極管D3得到有效箝位。

          4)在T2~T3期間,反射在初級的負載電流Io下降,其下降的速率由初級與次級間的漏感決定,該電流通過箝位電容C2、箝位二極管D3回流至電源,流過電容C2的電流引起其端電壓上升(設其增量為dVS),導致B點電位變化為2VI+dVS。

          5)在T3時刻,由于出現輸出二極管D1的反向恢復,反射到的初級電流Io出現負值,箝位二極管D3停止導通,因功率管S的漏源間存在輸出電容Cp,(B點電位)VS出現下降直到輸出二極管D1反向反射電流小于初級磁化電流并在T4時刻等于零為止。

          6)在T4~T5期間,正在減少的正向磁化電流將引起B點電位VS再次向2VI上升,直到箝位二極管D3再導通,將VS箝位在比2VI稍高的電位上。

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