晶體硅太陽電池擴散氣氛場均勻性研究
從表4可看出,廢氣排放口離恒溫區越遠,即離爐口越近,爐口的方阻片內/片間均勻性改善越好,但廢氣排放的同時也有大量熱能的排放,在排放口區域聚集的熱能較多,因考慮到爐門的低溫(一般為小于200℃)要求,在一定程度上又限制了排放口到爐門的距離不能太近。所以,生產中廢氣排放口的較佳位置是在一個兩向平衡距離范圍內。本文引用地址:http://www.104case.com/article/181202.htm
2.4 排風量大小對爐口均勻性的影響
當進入擴散爐石英管內的工藝氣體總流量一定時,排風量大小的設定直接影響擴散爐內的氣氛場壓強變化,而氣氛場壓強又與爐內工藝氣體的濃度相關聯.從而影響擴散的均勻性,尤其是爐口的均勻性。
通過表5分析爐口片內極差大的具體原因,得到極差大主要是由硅片下半部分方塊電阻大造成的,而這下半部分又與排氣口最近,故采取調小排氣閥開度,增加爐內壓強,間接地增加工藝氣體反應時間,從而改善爐口片內均勻性和片間均勻性。對于穩定生產而言,爐內壓強的最佳值是在一定范圍內的,這就要求工藝反應氣體流量與廢氣排放量需保持一個整體平衡。
3 結束語
晶體硅太陽電池的主要工藝制作過程包括制絨、擴散、刻蝕、鍍膜、印刷、燒結等,每道工序的相關控制參數都直接或間接地與電池電性能參數相關聯。對于擴散工序而言,擴散的均勻性直接體現在硅片形成的P-N結結深差異性上,均勻性好反映出結深差異性小,反之亦然。
而不同的P-N結結深其燒結條件不一樣。從另一方面,同樣的燒結條件生產應用于擴散均勻性好的在制電池片,其歐姆接觸性能、填充因子等電性能參數一致性好,最終體現在太陽電池的轉換效率一致性的可控性。用實驗方法分析影響晶體硅太陽電池擴散均勻性的氣氛場因素及其工藝調節優化改善方法,在工藝調試過程中需要注意這些氣氛場因素是相互關聯影響的,一般先優化改善均流板的均勻分流設計和廢氣排放位置因素,再綜合工藝氣體流量、排氣量等其他相關因素系統調整爐內壓強平衡。通過擴散均勻性的優化調節??梢院芎玫馗纳铺栯姵氐奶畛湟蜃覨F、并聯電阻Rsh、串聯電阻Rs和開路電壓Ucc等電性能,從而降低電池的制造成本。
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