晶體硅太陽電池擴散氣氛場均勻性研究
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2．1 工藝氣體流量對爐內溫度的影響
在工藝溫度穩定條件下，關閉小N2(磷源bubbler bottle)，通過手動調節大N2流量，試驗記錄擴散爐石英反應管內爐口、爐中、爐尾3段Profile TC(tlaermal couple)溫度隨爐內氣體流量(壓強)的變化情況，以研究爐內氣氛場氣體流量(壓強)變化對與擴散均勻性密切關聯的溫度影響程度和趨勢。試驗過程包括：
(1)檢查爐門及各氣路連接處的密封性；
(2)設備溫度PID參數自整定；
(3)手動調節大N2流量，從25 L／min，增加到27 L/min，記錄流量調節前后穩定溫度值和流量變化導致的溫度動態偏差值，見表1；
(4)手動調節大N2流量，從25L／min，減少到23 L/min，記錄流量調節前后穩定溫度值和流量變化導致的溫度動態偏差值，見表2，表中Zone1為爐尾，Zone2是爐中尾，Zone3為爐中，Zone4是爐中口，Zone5為爐口。
從表1和表2的數據可看出，氣流量由25 L／min向27 L／min變化，爐尾溫度降低1℃，爐口溫度無變化，氣流量由25 L／min減少到23 L／min，爐尾溫度升高1℃，爐口溫度降低1℃。本文引用地址：http://www.104case.com/article/181202.htm
2．3 廢氣排放位置對爐口均勻性的影響
擴散爐恒溫區的有限性與生產產量的最大化是矛盾關聯的。在生產中，需要在恒溫區最大限度地放置擴散硅片，保證恒溫區溫度的精度和穩定性。因配置懸臂式裝載系統的擴散爐爐口對溫度的干擾最大，可將廢氣管口盡可能地靠近爐門，同時也能改善靠近爐口方向硅片反應區域氣氛場的均勻性。因此，分別調整廢氣排放位置并進行試驗對比。
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