一種高性能CMOS電荷泵的設(shè)計(jì)
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3 仿真結(jié)果
本電荷泵采用O．18μm標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝，使用Cadence軟件集成的Spectre仿真工具對(duì)電路進(jìn)行設(shè)計(jì)仿真驗(yàn)證。從仿真結(jié)果可以看出，電荷泵的電流在0．35～1．3 V的直流掃描范圍內(nèi)CERO．9％，圖5是電荷泵充放電流之間的匹配曲線圖；圖6所示為主支路與Dummy支路的電壓跟隨曲線變化圖；如圖7所示為輸出端充放電時(shí)的瞬態(tài)電壓變化曲線；如圖8所示為在250 MHz的工作頻率下電荷泵的瞬態(tài)充、放電流波形圖可以看出電路在高頻下能很好地工作。由于增加了電壓跟隨器，整個(gè)電路的功耗有所增加，總功耗大約為0．72 mW。 本文引用地址：http://www.104case.com/article/180989.htm
4 結(jié)束語(yǔ)
文中分析了傳統(tǒng)電荷泵的工作原理及存在的非理想因素，在此基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)了一個(gè)結(jié)合了對(duì)稱自偏置高擺幅共源共柵電流源和差分泵開(kāi)關(guān)的電荷泵，電荷泵電流為100μA。在版圖面積和電路性能之間經(jīng)過(guò)優(yōu)化設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了高精度的泵電流的匹配和較高的工作速度以及較小的電荷注入。整體上滿足了較高要求的應(yīng)用環(huán)境，適用于高速高精度低壓要求的電荷泵鎖相環(huán)路。
評(píng)論