為具體應用恰當的選擇MOSFET的技巧

鑒于MOSFET技術的成熟，為設計選擇一款MOSFET表面上看是十分簡單的事情。雖然工程師都熟諳MOSFET數據手冊上的品質因數，但為了選擇出合適的MOSFET，工程師必需利用自己的專業知識對各個具體應用的不同規格進行全面仔細的考慮。例如，對于服務器電源中的負載開關這類應用，由于MOSFET基本上一直都是處于導通狀態，故MOSFET的開關特性無關緊要，而導通阻抗(RDS(ON))卻可能是這種應用的關鍵品質因數。然而，仍然有一些應用，比如開關電源，把MOSFET用作有源開關，因此工程師必須*估其它的MOSFET性能參數。下面讓我們考慮一些應用及其MOSFET規格參數的優先順序。

MOSFET最常見的應用可能是電源中的開關元件，此外，它們對電源輸出也大有裨益。服務器和通信設備等應用一般都配置有多個并行電源，以支持N+1 冗余與持續工作 (圖 1)。各并行電源平均分擔負載，確保系統即使在一個電源出現故障的情況下仍然能夠繼續工作。不過，這種架構還需要一種方法把并行電源的輸出連接在一起，并保證某個電源的故障不會影響到其它的電源。在每個電源的輸出端，有一個功率MOSFET可以讓眾電源分擔負載，同時各電源又彼此隔離 。起這種作用的MOSFET 被稱為ORingFET，因為它們本質上是以 OR 邏輯來連接多個電源的輸出。

用于針對N+1冗余拓撲的并行電源控制的MOSFET

圖1：用于針對N+1冗余拓撲的并行電源控制的MOSFET。

在ORing FET應用中，MOSFET的作用是開關器件，但是由于服務器類應用中電源不間斷工作，這個開關實際上始終處于導通狀態。其開關功能只發揮在啟動和關斷，以及電源出現故障之時 。

相比從事以開關為核心應用的設計人員，ORing FET應用設計人員顯然必需關注MOSFET的不同特性。以服務器為例，在正常工作期間，MOSFET只相當于一個導體。因此，ORing FET應用設計人員最關心的是最小傳導損耗。

低RDS(ON) 可把BOM及PCB尺寸降至最小

一般而言，MOSFET 制造商采用RDS(ON) 參數來定義導通阻抗；對ORing FET應用來說，RDS(ON) 也是最重要的器件特性。數據手冊定義RDS(ON) 與柵極 (或驅動) 電壓 VGS 以及流經開關的電流有關，但對于充分的柵極驅動，RDS(ON) 是一個相對靜態參數。例如，飛兆半導體 FDMS7650 的數據手冊規定，對于10V 的柵極驅動，最大RDS(ON) 為0.99 mΩ。

若設計人員試圖開發尺寸最小、成本最低的電源，低導通阻抗更是加倍的重要。在電源設計中，每個電源常常需要多個ORing MOSFET并行工作，需要多個器件來把電流傳送給負載。在許多情況下，設計人員必須并聯MOSFET，以有效降低RDS(ON)。

需謹記，在 DC 電路中，并聯電阻性負載的等效阻抗小于每個負載單獨的阻抗值。比如，兩個并聯的2Ω 電阻相當于一個1Ω的電阻 。因此，一般來說，一個低RDS(ON) 值的MOSFET，具備大額定電流，就可以讓設計人員把電源中所用MOSFET的數目減至最少。