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采用新型IGBT優化軟開關應用中的損耗

作者：時間：2011-01-12 來源：網絡

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在典型飽和壓降Vce(sat)=1.6V@25℃/1.85V@175℃和典型正向電壓Vf=1.25V@175℃(額定電流)的條件下，功率損(特別是軟開關應用的導通損耗)可大幅度降低。由IHW20N120R2的下降時間的切線可看出高速度—tf=24ns@25℃和Rg=30Ω(44ns@175℃)。IHW30120R2在下降時間方面是最為出色的：tf=33ns@25℃，Rg=30Ω；tf=40ns@175℃。(在硬開關條件下測量，參見帶有Eoff曲線的圖6和圖7)。

本文引用地址：http://www.104case.com/article/179976.htm

圖5 ：來自英飛凌科技的最新一代RC2-IGBT(IHWxxN120R2，xx=15A、20A、25A和30A)。采用無鉛電鍍TO-247封裝

圖6 ：在硬開關條件下，175℃結溫以及室溫下IHW20N120R2(IN=20A，Vces=1,200V)和IHW30N120R2(IN=30A)的下降時間切線

圖7 ：在硬開關條件下，175℃結溫以及室溫下RC2-IGBT的Eoff曲線

圖6顯示如果柵極電阻低于30(，下降時間再度上升。這對于實現良好的EMI行為非常重要。所有市場上相關應用設計目前使用的柵極電阻都在10~20Ω之間。這個柵極電阻選用區域也是最低開關損耗區(見圖7)。它具有最低的開關損耗和合適的EMI表現。

圖8 ：室溫和不同電流條件下IHW20N120R2的飽和壓降與Vf的關系

圖7和圖8顯示了最新一代RC2-IGBT(IHW20N120R2)的超低飽和壓降Vce(sat)和正向電壓Vf。圖8顯示了1,000片該器件在室溫和不同電流條件下的最低和最高飽和壓降的曲線圖，圖9顯示了它們在不同溫度和20A額定電流條件下的飽和壓降曲線圖。

圖9 ：20A標稱電流和不同溫度下IHW20N120R2的飽和壓降與Vf的關系

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關鍵詞：應用損耗開關優化新型 IGBT 采用

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