一種高精度低電源電壓帶隙基準源的設計
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3．3 部分關鍵參數的設計
在室溫下，設計雙極型晶體管的面積比n=8，計算出電壓的溫度系數
為保證式(8)的溫度系數為0，那么
，為了降低運算放大器的輸入R21和R22的電阻比值設定為1．5，為保證輸出約在0．9 V，電阻R3和R2的比值為
，經Hspice模擬，設計的電路參數為R21=120 kΩ，R22=80 kΩ，R0=20 kΩ，R3=150 kΩ。4 模擬結果
基于UMC 0．25μm CMOS工藝，采用Hspice對設計的電路進行仿真驗證。圖5為電源電壓為1．5 V，輸出基準電壓為900 mV時的輸出溫度特性，在-40～120℃的溫度范圍內，輸出基準電壓變化為1．3 mV，設計的電路具有較好的溫度特性。本文引用地址：http://www.104case.com/article/179656.htm
圖6為輸出基準電壓隨電源電壓的變化，當電源電壓下降到1 V時，輸出基準電壓迅速下降，電源電壓在1．1～3．5 V之間變化時，輸出電壓變化約為2 mV，電路的輸出電壓隨電源電壓的變化小。
設計的基準電壓源主要性能參數，如表1所示。
5 結束語
在傳統CMOS帶隙基準源的基礎上，本文采用0．25μmCMOS工藝，運用正負溫度系數電流求和的原理，設計了0．9 V帶隙基準電壓源，電源電壓可以降低至1．1 V，溫度系數為8．1×10-6／℃，而且基準電壓的輸出可以根據需要進行調節，仿真結果表明了設計的正確性，加上輸出緩沖器，該電路可以集成到芯片內部作為其內置基準源。
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