用PQFN封裝技術提高能效和功率密度

表1 幾種封裝的對比

　　基于所有上述特性，PQFN5×6銅片封裝具有與DirectFET封裝(未使用頂部冷卻)相似的性能，這實現了性能的大幅提升，同時能利用最新硅技術實現其所有的優勢。在通常采用多個并聯SO-8 MOSFET的設計中，PQFN 5×6銅片技術可用單個器件代替兩個或更多傳統器件，從而簡化設計并提高可靠性。利用單個器件取代多個器件對于尺寸嚴格受限的電源(如1/2磚或更小尺寸的電源模塊)而言同樣是一大優勢。例如，圖4顯示了現有磚型電源的次級同步整流效率曲線。這是一種通用設計，次級的每個腳采用兩個并聯MOSFET。利用IR公司提供的PQFN器件，我們可以用單個低導通電阻PQFN取代2個并聯MOSFET，并實現更優的全負荷效率。

圖4 IR的PQFN器件在次級整流應用中比競爭器件表現更好

　　本文小結

　　對更高能效、更高功率密度和更高可靠性的要求是并將一直是電源設計人員面臨的挑戰。同樣，增強型封裝技術對于實現這些改進也至關重要。PQFN技術提供了一個靈活開放的封裝平臺，能為那些著眼于SO-8性能水平以上的設計人員提供所需的改進。當利用經優化的銅片結構進行改良之后，PQFN 5×6封裝可提供近似于DirectFET(無需頂部冷卻)等高性能專有封裝技術的性能，不過DirectFET的能效和功率密度仍然最高。