一種低壓高線性CMOS模擬乘法器設計
如圖5所示:Vid1=±0.3 V,Vid2的輸入范圍也是-0.3~+0.3 V,且以50 mV的步長變化。可以看到對于整個輸入動態范圍,電路保持很好的線性度。本文引用地址:http://www.104case.com/article/179291.htm
圖6所示該乘法器用作調幅電路。在Vid1端輸入一個幅值0.3 V,頻率5 kHz的正弦載波信號,Vid2端輸入一個同樣幅值,頻率100 MHz的正弦調制信號,得到一個完整的正弦包絡。
如圖7所示:固定V2,V3,V4輸入不變,對V1以0.05 V步長進行DC掃描,掃描范圍0.45~0.75 V。得到的-3 dB帶寬為1 GHz。可見,圖4所示乘法器頻率特性良好,帶寬較寬,可以處理較高頻率信號。
圖8是該乘法器電路THD仿真結果;圖4中在Vid2加上頻率100 kHz,幅度變化的正弦信號,Vid1固定在0.6 V;圖1中在Vid2加上頻率100 kHz相同幅度變化的正弦信號,Vid1固定在0.6 V,圖中折線①代表圖1乘法器的仿真結果,折線②代表圖4乘法器的仿真結果,可以明顯看出,對于同樣的輸入,圖4所示乘法器失真更小,線性度更好。整體來說,本乘法器較好的完成了對模擬信號的相乘處理功能,在整個線性輸入范圍內都表現出完好的線性相乘結果,較高的線性度以及較大的-3 dB帶寬,并經仿真驗證成功,可能存在的不足之處在于其線性輸入范圍有待進一步提高。
3 版圖設計
使用0.18 μm CMOS工藝技術,對圖4電路設計版圖。與一般的低壓CMOS四象限模擬乘法器電路(圖1)相比,版圖設計時最顯著的提升就是節約4個電阻的版圖面積,如果工藝中包含高阻值的電阻類型,這種優勢就更為突出。
4 結語
本文提出了一種結構簡單的高線性CMOS四象限模擬乘法器,該乘法器基于交叉耦合平方電路結構并采用減法電路來實現。HSPICE仿真結果顯示,該乘法器功耗可低至80μW,其線性輸入范圍達到±0.3 V,-3 dB帶寬可達到1 GHz。在同樣的電源電壓和功耗條件下,相比于圖1所示的乘法器,最突出的優點是線性度得到顯著改善。在要求低高線性的高頻模擬信號處理系統中該乘法器有望得到廣泛應用。
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