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        基于CMOS工藝的鋰聚合物電池保護電路設計

        作者: 時間:2011-09-09 來源:網絡 收藏
        耗盡型NMOS管閾值電壓為負值,在VGS=0時也處于工作狀態,該特性可有效降低其工作電壓及功耗。因而,該基準電路中利用串聯的耗盡型NMOS管MN1-MN4、串聯的增強型NMOS管MN5-MN9、MN11-MN12和電阻R1、R2構成VGS的基準電壓電路,該基準電路的輸出為檢測比較器反相端的基準電壓信號VREF。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/178653.htm

          由于本電路中耗盡管閾值電壓為負值,且柵源電壓恒為0,故耗盡型管始終工作在飽和區。且其電流值恒定為:

          

          同時為滿足該電路低功耗的要求,應盡可能使電路中增強性管工作在亞閾值區。如圖3所示,襯偏效應和源極電位的升高,MN5管工作于亞閾值區。

          

          

          即對于增強型NMOS管,VTH隨溫度升高而下降,而對于耗盡型NMOS管,VTH為負值,其絕對值隨溫度升高而上升。由此推得,當選取合適的參數時,本電路的溫度漂移可以控制在較小范圍內。

          3.3 其余部分設計

          3.3.1 延時電路

          為了防止干擾信號使電路產生誤操作,系統針對不同的異常狀態,設置了相應的延遲時間。

          該延遲時間是由振蕩電路以及計數器共同實現。

          振蕩電路采用三級環形振蕩器結構,其每一級由一個反相器和一個電容構成,該振蕩電路正常工作時,向計數器輸出振蕩方波,不工作時輸出高電平。

          計數器由D觸發器級聯而成。

          3.3.2 電平轉換電路

          同時,為了保證充電控制管MC在過充電狀態下有效關斷,利用電平轉換電路使輸出COUT端為邏輯電路輸出信號的四級反相,從而使COUT端低電平由VSS降至V-。

          3.3.3 待機狀態

          芯片中的部分電路設有使能端,為邏輯電路輸出。當電路進入過放電狀態后,該使能端由高電位變為低電位,關閉相應電路,芯片進入待機狀態,從而大大降低消耗電流,減小功耗。

          

        過充電保護及復原波形圖

          圖4 過充電保護及復原波形圖



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