（2）控制端附近的電容應(yīng)盡可能靠近源極和控制端的引腳。S極與C、L（或M）、X極需各通過一條獨立的支路相連，不得共享一條支路。禁止讓MOSFET的開關(guān)電流通過連接C S極的支路。此外，S、L、X端的引線與外圍相關(guān)元件的距離也要盡量短捷，并且遠離漏極D的支路，以防止產(chǎn)生噪聲耦合。
（3）圖1中的線路檢測電阻R1應(yīng)盡可能接近于L（或M）引腳。
（4）控制端的旁路電容C5（47μF）與一只高頻旁路電容C8（0.1μF）相并聯(lián)，可以更好地抑制噪聲。反饋電路的輸出端，應(yīng)盡可能靠近C、S極。
加入技術(shù)交流群
評論