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        TOP246-TOP249系列單片開關電源應用

        作者: 時間:2011-12-15 來源:網絡 收藏

        精密光耦反饋電路由IC2、IC3等組成。輸出電壓UO通過電阻分壓器R4~R6獲得取樣電壓,與TL431中的2.50V基準電壓進行比較后產生誤差電壓,再經過光耦去改變TOP249Y的控制端電流IC,使占空比發生變化,進而調節UO保持不變。反饋繞組的輸出電壓經VD4、C15整流濾波后,給光耦中的接收管提供偏壓。C5還與R8一起構成尖峰電壓濾波器,使偏置電壓在負載較重時能保持恒定。R7、C9、C10和R3、C5、C8均為控制環路的補償元件。

        2由TOP249Y構成的DC/DC變換式250W

        該DC/DC變換式采用一片TOP249Y,輸入為250V~380V直流電壓,輸出為48V、5.2A(250W),電源效率可達84%。其電路如圖2所示。C1為高頻濾波電容,專門抑制從輸入端引入的電磁干擾。由于TOP249工作在它的功率上限,因此需將X端與源極S短接,把極限電流設置為內部最大值,即ILIMIT=ILIMIT(max)=5.7A。在L端到UI之間接一只2MΩ的電阻R1,可進行線路檢測。若UI>450V,則TOP249Y停止工作,直到電壓恢復正常。這就有效地防止了元器件損壞。

        由于初級電流較大,須采取以下措施:第一,采用低泄漏電感的高頻變壓器并在初、次級之間增加屏蔽層,將漏感減至最小;第二,在鉗位保護電路中的瞬態電壓抑制器兩端并聯阻容元件R2、R3、C6,構成保護功能完善的VDZ1、VD1、R、C型鉗位及吸收電路,以便吸收掉漏感上較大的磁場能量。這種設計的優點在于,正常工作時VDZ1的損耗非常小,泄漏磁場能量主要由R2和R3分擔;VDZ1的關鍵作用是限制在起動(或過載)情況下的尖峰電壓,確保內部MOSFET的漏極電壓低于700V。

        次級繞組電壓首先經過VD2、C9、C10和C11整流、濾波,再通過L2、C12濾除開關噪聲之后,獲得穩定的直流輸出電壓UO。為減小濾波電容的等效電感,現將C9、C10和C11作并聯使用。穩壓管VDZ2、VDZ3和VDZ4的穩壓值分別為22V、12V、12V,串聯后的總穩壓值UZ=46V,穩定電流IZ≈10mA。設光耦中紅外發光二極管LED的正向壓降為UF,輸出電壓由下式確定:

        2.gif
        圖2-250W電路

        UO=UZ+UF+UR6≈46V+1V+10mA×100Ω=48V

        R6是LED的限流電阻,它還決定控制環路的增益。二極管VD4和電容C14構成軟起動電路。剛上電時,由于C14兩端壓降不能突變,致使VD6因負極接低電平而導通,此時穩壓管不工作。隨著C14被充電,其兩端的壓降不斷升高,又使VD4變成截止狀態,輸出電壓才建立起來。掉電后,C14上的電荷就經過R9泄放掉。C13和R8為高壓控制回路的頻率補償元件。為了保證TOP249Y能在滿載情況下正常輸出,必須給TOP249Y加上面積足夠大的散熱器,使芯片即使在低壓輸入或最高環境溫度下工作,芯片的最高結溫也不超過110℃(僅對Y封裝而言,其他封裝均不得超過100℃)。若受安裝條件限制,無法加裝大散熱器,則必須進行通風降溫。

        3由TOP246Y構成的45W多路輸出式開關

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