大功率VDMOS(200 V)的設(shè)計(jì)研究
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時(shí)間：2011-12-20
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1．4 導(dǎo)通電阻的設(shè)計(jì)
導(dǎo)通電阻Ron=Rcs+Rbs+Rch+Ra+Rj+Re+Rbd+Rcd。各部分的含義為：Rcs為源極引線(xiàn)與N+源區(qū)接觸電阻，該電阻可通過(guò)適當(dāng)?shù)慕饘倩に嚩怪雎圆挥?jì)；Rbs源區(qū)串聯(lián)電阻；Rch溝道電阻；Ra柵電極正下方N-區(qū)表面積累層電阻；RJ相鄰兩P阱間形成的J型管區(qū)電阻；Re高阻外延層的導(dǎo)通電阻；Rbd漏極N+層(即襯底)的導(dǎo)通電阻，由于此處雜質(zhì)濃度較高，因此Rbd可忽略不計(jì)；Rcd為漏極接觸電阻，其阻值較小，可忽略不計(jì)。
在200 V的器件中Rch起著主要作用：
理論上可以通過(guò)減小溝道長(zhǎng)度或增加溝道內(nèi)電子遷移率的辦法來(lái)減小溝道電阻。但對(duì)于N溝道MOSFET器件，電子遷移率可近似看作常數(shù)，而溝道長(zhǎng)度受到溝道穿通二次擊穿的限制。目前通過(guò)增加溝道寬度即提高元胞密度是減小溝道電阻的主要方法。
1．5 參數(shù)的仿真結(jié)果
該器件用Tsuprem 4和Medici軟件混合仿真。關(guān)鍵工藝參數(shù)為：外延厚度20μm，外延電阻率5Ω·cm；柵氧厚度52 nm(5+40+5 min)；P阱注入劑量在3×1013cm-3，推阱時(shí)間為65 min。表2給出了靜態(tài)參數(shù)表。本文引用地址：http://www.104case.com/article/178213.htm
各參數(shù)仿真圖如圖1，圖2所示。
評(píng)論