大功率VDMOS(200 V)的設計研究
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1．4 導通電阻的設計
導通電阻Ron=Rcs+Rbs+Rch+Ra+Rj+Re+Rbd+Rcd。各部分的含義為：Rcs為源極引線與N+源區(qū)接觸電阻，該電阻可通過適當的金屬化工藝而使之忽略不計；Rbs源區(qū)串聯電阻；Rch溝道電阻；Ra柵電極正下方N-區(qū)表面積累層電阻；RJ相鄰兩P阱間形成的J型管區(qū)電阻；Re高阻外延層的導通電阻；Rbd漏極N+層(即襯底)的導通電阻，由于此處雜質濃度較高，因此Rbd可忽略不計；Rcd為漏極接觸電阻，其阻值較小，可忽略不計。
在200 V的器件中Rch起著主要作用：
理論上可以通過減小溝道長度或增加溝道內電子遷移率的辦法來減小溝道電阻。但對于N溝道MOSFET器件，電子遷移率可近似看作常數，而溝道長度受到溝道穿通二次擊穿的限制。目前通過增加溝道寬度即提高元胞密度是減小溝道電阻的主要方法。
1．5 參數的仿真結果
該器件用Tsuprem 4和Medici軟件混合仿真。關鍵工藝參數為：外延厚度20μm，外延電阻率5Ω·cm；柵氧厚度52 nm(5+40+5 min)；P阱注入劑量在3×1013cm-3，推阱時間為65 min。表2給出了靜態(tài)參數表。本文引用地址：http://www.104case.com/article/178213.htm
各參數仿真圖如圖1，圖2所示。
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