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        無刷直流電機(jī)的保護(hù)電路

        作者: 時(shí)間:2012-03-30 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏


        3 方案
        本文提出的方案主要是針對以IR2136芯片作為驅(qū)動器的,因?yàn)樗坏珜?shí)現(xiàn)了一套完整的無刷電動機(jī)驅(qū)動,而且它還集成了自身工作電源欠壓檢測器,檢測到芯片的Vcc或Vbs欠壓時(shí)能關(guān)閉高端MOSFET,防止MOS管長時(shí)間工作在高功耗狀態(tài)下。
        3.1 過流方案
        過流保護(hù)方案共有3套,其中包括兩套硬件過流方案和一套軟件過流方案。
        (1)電流檢測和LM311構(gòu)成比較,輸出送到單片機(jī)PWM模塊的FLTA進(jìn)行故障檢測,如果FLTA引腳為低電平,則PWM模塊硬件關(guān)斷PWM輸出。該過流保護(hù)為單片機(jī)集成的硬件級保護(hù),響應(yīng)速度快。
        (2)電流檢測輸出電壓經(jīng)過分壓之后送到IR2136的ITRIP引腳,如果ITRIP引腳電壓高于0.5 V,則引起IR2136內(nèi)部叩比較器動作,F(xiàn)AULT引腳輸出低電平,RCIN引腳連接的電阻電容構(gòu)成RC延時(shí)機(jī)制,延時(shí)之后過流狀態(tài)自動清除。因?yàn)镕AULT在過流和自身欠壓的情況下都會變?yōu)榈碗娖?。區(qū)別在于:過流情況下,F(xiàn)AULT引腳的電平時(shí)高時(shí)低,而自身欠壓的狀態(tài)下,F(xiàn)AULT會一直輸出低電平。該過流保護(hù)為IR2136集成的硬件級保護(hù),響應(yīng)速度快。
        (3)單片機(jī)設(shè)置軟件級的過流保護(hù)程序代碼,通過A/D口采集電流檢測電路輸出電壓,以判斷是否過流。這屬于軟件級別的過流保護(hù),響應(yīng)速度較硬件級別保護(hù)慢,若在程序跑飛的情況下不能提供過流保護(hù)。
        3.1.1 方案一
        電流檢測電路配合LM311構(gòu)成過流檢測電路如圖6所示。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/177646.htm

        f.jpg


        正常情況下,在電流檢測電路中,電路輸出的電壓信號(接到LM311的反相輸入端)小于電阻分壓電路輸出電壓(接到LM311的同相輸入端),LM311輸出高電平,電路無動作;若發(fā)生過流時(shí),電路輸出的電壓信號(接到LM311的反相輸入端)大于電阻分壓電路輸出電壓(接到LM311的同相輸入端),LM311輸出低電平,當(dāng)單片機(jī)PWM模塊的FLTA檢測到低電平之后,設(shè)置PWM輸出無效電平(在此應(yīng)用中PWM有效電平為低電平,無效電平為高電平)從而使停轉(zhuǎn)。
        電阻R42提供正反饋構(gòu)成滯回比較器,可以為整個(gè)電路起到50 mV的抗噪聲能力;分壓電阻采用滑動變阻器,從而可以方便地設(shè)置過流門限。要注意的是:因?yàn)殡娮璺謮弘娐分苯咏拥絃M311的輸入端,而認(rèn)為LM311的輸入端電阻是無限大的,所以不會產(chǎn)生負(fù)載效應(yīng),可以放心使用。
        3.1.2 方案二
        IR2136集成的過流檢測功能如圖7所示。

        g.jpg


        如果電壓值小于0.5 V,則電路正常工作;此時(shí)連接到ITRIP的內(nèi)部比較器輸出0(低電平),因?yàn)镽CIN外接RC延時(shí)電路的原因,電容充電至1(高電平),所以此時(shí)SR鎖存器S=0,R=1,根據(jù)SR鎖存器的特性表,不管當(dāng)前狀態(tài)如何,SR鎖存器都輸出0,表示沒有過流發(fā)生。
        如果電壓值大于0.5 V,則會引發(fā)IR2136內(nèi)部電路一系列動作。具體分析如下,ITRIP引腳連接的比較器輸出1(高電平),經(jīng)過輸入噪聲濾波器確認(rèn)不是由噪聲引起的誤動作之后,送到SR鎖存器的S端,即此時(shí)S端為1;同時(shí)比較器輸出的1(高電平)加到與RCIN相連的MOSFET柵極,從而引發(fā)MOSFET漏極和源極導(dǎo)通,即RCIN連接到低,而RCIN在外部還連接了RC延時(shí)電路,如圖8所示。
        過流之前,電容被充電至Vcc,并連接到RCIN,但是過流發(fā)生之后RCIN內(nèi)部通過MOSFET連接到地,所以電容沿著箭頭所示路徑放電。此時(shí)RCIN引腳為0(低電平),RCIN又連接到SR鎖存器的R端,所以過流發(fā)生時(shí),SR鎖存器的S=1,R=0。根據(jù)所學(xué)的SR鎖存器特性表,S=1,R=0,現(xiàn)態(tài)Q=0,那么鎖存器輸出1(高電平),表示有過流情況發(fā)生。鎖存器輸出分為兩路(如箭頭所示),一路使FAULT輸出低電平,F(xiàn)AULT可以接到單片機(jī)各種檢測端口進(jìn)行相應(yīng)的過流處理;另一路關(guān)斷上橋臂的3個(gè)MOS管,從而使電機(jī)停轉(zhuǎn)實(shí)施保護(hù)。
        3.1.3 單片機(jī)固件軟件級過流保護(hù)
        單片機(jī)軟件中設(shè)定好過流門限數(shù)值之后,軟件通過A/D實(shí)時(shí)采集電流檢測電路輸出的電壓信號,并解算得到對應(yīng)的電流值,與過流保護(hù)門限值進(jìn)行比較。如果實(shí)時(shí)電流值大于過流門限值,則執(zhí)行相應(yīng)的電機(jī)保護(hù)動作;如果實(shí)時(shí)電流值小于過流門限值,則繼續(xù)采集電流值進(jìn)行比較,以此循環(huán)。

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