一種改進的無橋Boost功率因數校正電路
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4 實驗
為了驗證上述改進無橋拓撲硬件實現的可行性，采用BCM控制芯片L6562設計了一臺輸入為85～265 V，輸出電壓為400 V，滿載輸出功率為300 W的實驗樣機。
4．1 電路關鍵部分設計
由法拉第電磁感應定律計算開關管的導通時間和阻斷時間，進而推出開關頻率為：
式中：Pi為變換器輸入功率；θ為輸入電壓相角；Uirms為輸入電壓有效值；Uo為輸出電壓。
設全電壓范圍內電路最低工作效率為92％，那么此時Pi=326 W，由式(2)可得f(Uirms)與Uirms的關系曲線，如圖5所示。由圖可知，當Uirms=265 V時，f(Uirms)取最小值。由fsw(π／2)=f(Uirms)／L可知，對于確定的L，當Uirms=265 V時，fsw(π／2)取值最小。設計中將此最低工作頻率設為25 kHz，進而可以計算出L=272μH。本文引用地址：http://www.104case.com/article/177580.htm
4．2 實驗結果
圖6示出220 V輸入，滿載輸出時，樣機輸入電壓uin、電流iin波形，110 V輸入時，L2電流iL2波形和VS1的驅動電壓ugsVS1和漏源電壓udsVS1波形。由圖可知，iin趨近于正弦且與uin同相，在非工作的半周期中，iL2基本保持為零，功率MOFET管在udsVS1諧振谷值時開通。
VD5電壓波形如圖7所示，此電壓波形趨近于工頻正弦半波，半波所包含的高頻紋波是由于實際電路變換器輸入端差模電容承擔濾除高頻電流紋波而引起的，其紋波幅值與差模電容上的紋波幅值相等，可通過增大差模電容來減小紋波幅值。VD3的電壓實驗波形與其仿真波形一致，此波形與VD5的電壓波形相似，區別在于VD3的電壓過零處存在紋波，而半波處紋波幅值較小。
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