中周模型在Multisim中的實現(xiàn)
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晶體管參數(shù)yie，yoe，yfe和yre分別為：
式中：rb'b為基極體電阻，一般為幾十歐姆；Cb'c為集電極電容，一般為幾皮法；Cb'e為發(fā)射極結(jié)電容，一般為幾十皮法至幾百皮法。
晶體管高頻分布參數(shù)與靜態(tài)工作電流Ic、電流放大系數(shù)β和工作頻率ω有關(guān)，晶體管手冊中給出的參數(shù)是在上述條件給定的情況下測得的。高頻電路的參數(shù)計算采用工程估算方法，如在f0=30 MHz，Ie=2 mA，Uce=8 V條件下測得3DG6C的參數(shù)為：gie=1／rie=2 mS，Cie=12 pF，goe=1／roe=250 mS，Coe=4 pF，|yfe|=40 mS，|yre|=350μS。本文引用地址：http://www.104case.com/article/177407.htm
根據(jù)實驗需要，輸入信號的頻率是12 MHz，從表1中選擇3GD6C即可滿足要求。估算時參照其在f0=30 MHz，Ie=2 mA和Uce=8 V條件下的工作參數(shù)。
圖2所示的等效電路中，P1為晶體管集電極接入系數(shù)，P1=N1／N2；N2為電感L線圈的總匝數(shù)；P2為輸出變壓器T的副邊與原邊的匝數(shù)比，P2=N3／N2。
通常小信號放大器的下一級仍為放大器，放大器的輸出負載電導gL將是下一級放大器的輸入導納gie2。并聯(lián)回路的總電導g∑表達式為：
當放大器處于諧振時，諧振頻率可以由式(1)算出。
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