電子風扇專用無刷直流電機關鍵技術的研究

如圖4所示，MOSFET上橋高端驅動，由于MOSFET分布電容的存在，對IRF4905的充放電過程都要經過一個2 kΩ電阻。這樣就不能在門極-源極之間對電容Ciss進行快速的充放電，不能活用MOSFET的高速開關性能。改進方案如圖5所示，首先采用自舉電路這樣既可以確保門極-源極之間的電壓在IRF4905的承受范圍之內，又有利于電壓的穩定。第二采用了推挽電路，利用NPN／PNP型晶體管的互補推挽電路，提高門極電流的驅動能力。充放電1，2過程不用經過比較大的電阻，直接加速電容的充電過程。
下橋的驅動如圖5所示，比較圖4可以發現其中增加了一反向二極管和一個加速電容。串聯柵極電阻可以使任何MOSFET輸入電容和所有柵源電路中的串聯引線電感引起的高頻振蕩得以衰減，如果進入底部驅動輸出的負電流超過50 mA則需要二極管。使用附加電容，圖騰柱式輸出可以增強晶體管截止提供負基極電流。

6 MC33035與MC33039中RT／CT參數的選擇
MC33035中的RT／CT參數用于調整MC33035芯片的工作頻率，每個振蕩周期由基準電壓VREF經RT向CT充電，然后CT上電荷通過內部一個晶體管迅速放電而形成鋸齒波振蕩信號。其工作頻率的設定由圖6做具體說明。

由圖6可以看出當工作頻率過高，PWM調節時，下橋的開關速度過高，上升沿和下降沿占整個波型的比列大，損失的能量多，則發熱量就大。當工作頻率過低，如圖4，圖5所示，整個PWM調節中關斷時間太長，容易產生電機波動。所以必須調整RT／CT使得MC33035的工作頻率符合設計要求。
MC33039中的RT／CT參數決定著F／V轉換的對應列表，對應表一旦確定，速度控制就按照一定的比列執行，所以要求其中的電阻電容的穩定性要好，精度要高，而一般的貼片陶瓷電容熱穩定性比較差，容易造成溫漂，所以這里選擇了CBB電容，溫度系數很小。

7 結語
在實際的電路設計過程中，要根據設計需要參數調整每一個元器件，使得電路符合設計的需要，數據手冊中的各類參數只是提供一種設計參考，不能照搬照抄。因為芯片設計者只是在一定情況下做的實驗，得到的實驗參數，不可能滿足所有應用者的要求。