開(kāi)關(guān)電源鉗位保護(hù)電路及散熱器的設(shè)計(jì)要點(diǎn)

這表明R 1、C 的時(shí)間常數(shù)與開(kāi)關(guān)周期有關(guān)，在數(shù)值上它就等于開(kāi)關(guān)周期的9 . 4 7倍。當(dāng)f=132kHz時(shí)，開(kāi)關(guān)周期T =7.5μs,τ=9.47×7.5μs=71.0μs.

實(shí)取鉗位電阻R 1=1 5 kΩ，鉗位電容C =4.7nF.此時(shí)τ=70.5μs.

當(dāng)鉗位保護(hù)電路工作時(shí)，R 1上的功耗為：

考慮到鉗位保護(hù)電路僅在功率開(kāi)關(guān)管關(guān)斷所對(duì)應(yīng)的半個(gè)周期內(nèi)工作，R 1的實(shí)際功耗大約為1.2W(假定占空比為50%)，因此可選用額定功率為2W的電阻。

令一次側(cè)直流高壓為U I(max)。鉗位電容的耐壓值U C>1.5U Q(max) +U I(max)=1.5×200V+265V×=674V.實(shí)際耐壓值取1kV.

(12)選擇阻塞二極管VD

要求反向耐壓U BR≥1.5U Q(max) =300V

采用快恢復(fù)二極管FR106(1A/800V,正向峰值電流可達(dá)30A)。要求其正向峰值電流遠(yuǎn)大于I P(這里為30A》1.65A)。

說(shuō)明：這里采用快恢復(fù)二極管而不使用超快恢復(fù)二極管，目的是配合阻尼電阻R 2,將部分漏感能量傳輸?shù)蕉蝹?cè)，以提高電源效率。

(13)計(jì)算阻尼電阻R 2.

有時(shí)為了提高開(kāi)關(guān)電源的效率，還在阻塞二極管上面串聯(lián)一只低阻值的阻尼電阻R 2.在R 2與漏極分布電容的共同作用下，可使漏感所產(chǎn)生尖峰電壓的起始部分保留下來(lái)并產(chǎn)生衰減振蕩，而不被RC電路吸收掉。通常將這種衰減振蕩的電壓稱(chēng)作振鈴電壓，由于振鈴電壓就疊加在感應(yīng)電壓U OR上，因此可被高頻變壓器傳輸?shù)蕉蝹?cè)。

阻尼電阻應(yīng)滿(mǎn)足以下條件：

即：

實(shí)取20Ω/2W的電阻。

2 開(kāi)關(guān)電源散熱器的設(shè)計(jì)要點(diǎn)

在開(kāi)關(guān)電源散熱器的設(shè)計(jì)一文中(詳見(jiàn)《電源技術(shù)應(yīng)用》2010年第1期)，介紹了通過(guò)計(jì)算芯片的平均功耗

來(lái)完成散熱器設(shè)計(jì)的簡(jiǎn)便實(shí)用方法。下面再對(duì)開(kāi)關(guān)電源散熱器的設(shè)計(jì)要點(diǎn)作進(jìn)一步分析。

以TOPSwitch-GX(TOP242~TOP250)系列單片開(kāi)關(guān)電源為例，當(dāng)MOSFET導(dǎo)通時(shí)漏-源極導(dǎo)通電流(I DS(ON) )與漏-源極導(dǎo)通電壓(U DS(ON) )的歸一化曲線(xiàn)如圖2所示。

圖2 當(dāng)MOSFET導(dǎo)通時(shí)漏-源極導(dǎo)通電流I DS(ON)與漏-源極導(dǎo)通電壓U DS(ON)的歸一化曲線(xiàn)

說(shuō)明：

(1)定義R DS(ON) =U D(ON) /I DS(ON) 。

(2)圖2是以TOP249Y為參考，此時(shí)k=1.00.

(3)求漏-源極導(dǎo)通電流時(shí)應(yīng)乘以k,求漏-源極通態(tài)電阻時(shí)應(yīng)除以k.