一種負荷閾值可配置的電源保護裝置的設計
加入技術交流群
4 電壓比較與MoS管控制
電壓比較部分本設計選用了TI公司的LM293，電壓比較電路與MOS管控制電路如圖5所示。
圖中比較器同向輸人端連接INA168輸出的電流采樣電壓VO；反向輸入端連接DAC8554輸出的配置好的閾值電壓VAOUT。
若VOVAOUT，即，電流采樣電壓在閾值范圍之內，比較器輸出近似0 V，通過反向施密特觸發器74HC14DR，輸出高電平，光耦關斷，PNP三極管導通，MOS管處于導通狀態；若VO>VAOUT，電流采樣電壓超出閾值范圍，比較器輸出為+5 V，經過反向施密特觸發器，輸出低電平，光耦導通，PNP三極管關斷，MOS管也處于關斷狀態。由此實現了過流保護的目的。而VAOUT是由DAC8554輸出，可自由調控，也就實現了可配置過流閾值的目的。
5 自鎖電路
回路過流后，MOS管自動關斷，回路瞬間處于無電流狀態，INA168采集到的信號為無電流狀態，MOS管在關斷后會跳變回導通狀態，因此本設計需要一個自鎖電路，在保證MOSFET關斷后不會重新打開。
實現方法如圖6所示。本文引用地址：http://www.104case.com/article/176764.htm
圖中，用一個開關J2代替了MOSFET來做仿真，J1為一個自鎖電路的開關，J1閉合，即J1電平為低時，自鎖電路工作。比較器LM293輸出的為高電平時，閉合J1，即置J1為低電平，自鎖電路開始工作，J2一旦斷開，即比較器輸出為低電平，只要一直保持閉合狀態，即使J2閉合，比較器輸出也為低，這樣就能保證過流的回路切斷后，在沒有電流的狀態也能保證NOSFET一直處于關斷的狀態。
電路自鎖后，可通過J1來接觸自鎖，將J1斷開，即置J1為高電平，可接觸自鎖。在回路有電流通過時閉合J1，即置J1低電平，電路將處于初始化狀態。這里，J1可用一路DO信號代替，程控自鎖電路的開關。
評論