MMC型HVDC輸電系統子模塊的設計
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1個IGBT模塊一般包括1個IGBT和1個反并聯二極管，IGBT的損耗包括通態損耗和開關損耗，二極管損耗包括通態損耗和關斷損耗。在正弦脈寬調制下，考慮溫度和死區時間對IGBT和二極管通態損耗的影響，IGBT及反并聯二極管的通態損耗分別為：
IGBT開關損耗隨電流ic變化規律是非線性的，很難用解析表達式準確定量描述。考慮電壓、電流和溫度等對開關損耗的影響，將開關損耗按線性化折算，可滿足設計需要。開關損耗為：
式中：fsw為載波頻率；Eon，Eoff分別為IGBT開通和關斷損耗；Err為快恢復二極管關斷損耗，其值較小，可忽略；Uref，Iref分別為參考電壓和電流；Udc為橋臂電壓；Ksw／Tr_I，Ksw／Tr_U分別為IGBT開關損耗電流、電壓系數；KswVD_I，KswVD_U分別為快恢復二極管開關損耗電流、電壓系數；Ksw／Tr_T，KswCD_T分別為IGBT和快恢復二極管開關損耗溫度系數。
6 系統熱設計
熱設計目的是采取措施限制IGBT及SM內的溫升在合理的范圍內，主要措施包括減少發熱量和增強散熱，增強散熱包括自然冷卻、強迫風
冷、液冷等散熱形式。考慮MMC的熱特性及對模塊體積和散熱效率要求，液冷為最合適的冷卻方式，其散熱效率高，可多模塊共用，經濟性高。
IGBT模塊的熱應力參數主要有結溫和熱阻。加裝散熱器的IGBT模塊熱阻主要由RthJC_I，RthCH_I，RthHA3部分組成，效電路如圖4所示。本文引用地址：http://www.104case.com/article/175872.htm
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