MMC型HVDC輸電系統子模塊的設計
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3 子模塊系統結構
SM功能框圖如圖3所示。電源POWER1和POWER2直接從支撐電容器取電，實現高位取能。POWER1輸出直流400 V電壓，為KM1的儲能電容供電，用于驅動旁路開關；POWER2提供+24 V輸出電壓，為模塊控制單元供電；模塊控制單元具有脈沖分配、信號采樣、故障保護、上層通訊等功能，實現SM級的控制與保護，同時輸出±15 V電源，為門極驅動電路和電壓傳感器供電；門極驅動電路和脈沖變壓器分別用于驅動IGBT和晶閘管。本文引用地址：http://www.104case.com/article/175872.htm
4 支撐電容器電容參數的選取
支撐電容器電容參數的選取需從SM直流電壓穩態波動、暫態波動、直流系統動態響應特性等方面進行綜合考慮計算，并通過試驗驗證。
從抑制SM穩態電壓波動的角度分析，遵循能量平衡的原則，電容值的取值需滿足：
電容值的取值會影響系統的有功功率調節動態響應時間，直流系統中采用定直流電壓控制的換流站直流端電壓一定，采用定有功功率控制的換流站端電壓必須跟隨有功功率指令，設調節時間為τ，則可得：
在選取電容值時還需考慮SM暫態電壓波動及限制直流雙極故障電流等約束因素的影響。通常可根據式(1)，(2)計算SM的電容值，再對其是否滿足其他約束條件進行驗證。
5 IGBT元件的選擇和損耗計算
IGBT的選擇需考慮系統額定電壓、額定電流、工作溫度等，其額定電壓和額定電流分別為：
式中：k1為過電壓系數；k2為安全系數；Udmax為額定直流電壓最大值；Usp為關斷結束時的尖峰電壓；ICM為額定工作峰值電流；α1為電流尖峰系數；α2為溫度降額系數；α3為過載系數。
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