STM32學(xué)習(xí)手記(5):數(shù)據(jù)的保存與毀滅!（二）

　　接下來(lái)的軟件仿真和硬件測(cè)試都能夠達(dá)到當(dāng)初的設(shè)計(jì)目標(biāo)，但程序是否最優(yōu)，是否存在著不合理之處，很不好說(shuō)，因?yàn)?a class="contentlabel" href="http://www.104case.com/news/listbylabel/label/STM32">STM32的中斷實(shí)在是夠復(fù)雜的。這個(gè)留著后面繼續(xù)學(xué)習(xí)的螺旋式上升中提高吧！

四、數(shù)據(jù)的保存與毀滅-BKP功能

　　通過(guò)STM32庫(kù)自帶的例子來(lái)做，就是這個(gè)：

　　通過(guò)研究，大體明白了BKP的功能，簡(jiǎn)述如下：

　　1． BKP可以用來(lái)保存數(shù)據(jù)

　　BKP中包括了42個(gè)16位的寄存器，共可保存84字節(jié)的內(nèi)容，它們由VBAT的供電來(lái)維掛。

　　2． BKP內(nèi)保存的數(shù)據(jù)可以被毀滅（如果有人希望惡意得到這些數(shù)據(jù)的話，令其丟失比保護(hù)數(shù)據(jù)更重要）。STM32提供了一種稱(chēng)之為T(mén)AMPER的機(jī)制來(lái)完成。中文譯為“侵入檢測(cè)”，這需要占用一個(gè)外部引腳（PC13）。

　　3． 如果不用侵入檢測(cè)功能，那么這個(gè)外部引腳可以用作RTC校準(zhǔn)功能，這個(gè)稍后再研究。

　　4． 當(dāng)有系統(tǒng)復(fù)位/電源復(fù)位/待機(jī)模式下被喚醒這三種情況時(shí)，BKP中的值不會(huì)丟失或被復(fù)位。

　　先回來(lái)研究一下STM32的復(fù)位機(jī)制。以下是數(shù)據(jù)手冊(cè)的相關(guān)部分。

　　6.1 復(fù)位

　　STM 32F10xxx支持三種復(fù)位形式，分別為系統(tǒng)復(fù)位、上電復(fù)位和備份區(qū)域復(fù)位。

　　6.1.1 系統(tǒng)復(fù)位

　　系統(tǒng)復(fù)位將復(fù)位除時(shí)鐘控制寄存器CSR中的復(fù)位標(biāo)志和備份區(qū)域中的寄存器以外的所有寄存器

　　當(dāng)以下事件中的一件發(fā)生時(shí)，產(chǎn)生一個(gè)系統(tǒng)復(fù)位：

　　1.NRST管腳上的低電平（外部復(fù)位）

　　例如：按下板子上的RESET按鈕就產(chǎn)生一個(gè)外部復(fù)位（屬于系統(tǒng)復(fù)位）

　　2.窗口看門(mén)狗計(jì)數(shù)終止（WWDG復(fù)位）

　　3.獨(dú)立看門(mén)狗計(jì)數(shù)終止（IWDG復(fù)位）

　　4.軟件復(fù)位（SW復(fù)位）

　　5.低功耗管理復(fù)位

　　可通過(guò)查看RCC_CSR控制狀態(tài)寄存器中的復(fù)位狀態(tài)標(biāo)志位識(shí)別復(fù)位事件來(lái)源

　　以下是RCC_CSR的內(nèi)容：

　　調(diào)試時(shí)不太容易區(qū)分，以下是某次調(diào)試中截到的RCC_CSR數(shù)據(jù)。

　　6.1.2 電源復(fù)位

　　當(dāng)以下事件中之一發(fā)生時(shí)，產(chǎn)生電源復(fù)位：

　　1. 上電/掉電復(fù)位（POR/PDR復(fù)位）

　　2. 從待機(jī)模式中返回

　　電源復(fù)位將復(fù)位除了備份區(qū)域外的所有寄存器。（見(jiàn)圖3）

　　圖中復(fù)位源將最終作用于RESET管腳，并在復(fù)位過(guò)程中保持低電平。復(fù)位入口矢量被固定在地址0x0000_0004。更多細(xì)節(jié)，參閱表36。

　　檢測(cè)可以是否上電/掉電復(fù)位可以用以下的函數(shù)：

　　RCC_GetFlagStatus（RCC_FLAG_PORRST）

　　其中RCC_FLAG_PORRST也可以被替代成以下的一些符號(hào)，以檢測(cè)不同的內(nèi)容：

　　**************************************************************************

　　5． 如果必須要人為地令備份域復(fù)位（所有數(shù)據(jù)都被清零），那么有兩種方法：

　　a） 軟件復(fù)位（操作RCC_BDCR中的BDRST位產(chǎn)生。）；以下是RCC_BDCR中相關(guān)的內(nèi)容：

　　6.3.9 備份域控制寄存器 （RCC_BDCR）

　　b） VDD和VBAT均掉電，那么在VDD或都VBAT上電時(shí)將引發(fā)備分域復(fù)位（這是為了保護(hù)數(shù)據(jù)的完整性？）

6． 數(shù)據(jù)寄存器究竟是哪些呢？

　　那么在STM32提供的庫(kù)里又是如何來(lái)用這些寄存器的呢？我們找一找，在stm 32f10x_bkp.c中，代碼如下：

　　/**

　　* @brief Writes user data to the specified Data Backup Register.

　　* @param BKP_DR： specifies the Data Backup Register.

　　* This parameter can be BKP_DRx where x：［1， 42］

　　* @param Data： data to write

　　* @retval None

　　*/

　　void BKP_WriteBackupRegister（uint16_t BKP_DR， uint16_t Data）

　　{

　　__IO uint32_t tmp = 0;

　　/* Check the parameters */

　　assert_param（IS_BKP_DR（BKP_DR））;

　　tmp = （uint32_t）BKP_BASE;

　　tmp += BKP_DR;

　　*（__IO uint32_t *） tmp = Data;

　　}

　　即只需要提供兩個(gè)參數(shù)，第一個(gè)是BKP地址，第二個(gè)是數(shù)據(jù)，兩個(gè)都是16位的數(shù)據(jù)。第二個(gè)參數(shù)沒(méi)有問(wèn)題，第一個(gè)參數(shù)如何提供呢？看例子中的代碼：

　　/**

　　* @brief Writes data Backup DRx registers.

　　* @param FirstBackupData： data to be written to Backup data registers.

　　* @retval None

　　*/

　　void WriteToBackupReg（uint16_t FirstBackupData）

　　{

　　uint32_t index = 0;

　　for （index = 0; index 《 BKP_DR_NUMBER; index++）

　　{

　　BKP_WriteBackupRegister（BKPDataReg［index］， FirstBackupData + （index * 0x 5A））;

　　}

　　}

　　從上面的代碼可以看到，第一個(gè)參數(shù)是用

　　BKPDataReg［index］

　　來(lái)提供的，這個(gè)又是什么東西呢？再找：

　　uint16_t BKPDataReg［BKP_DR_NUMBER］ =

　　{

　　BKP_DR1， BKP_DR2， BKP_DR3， BKP_DR4， BKP_DR5， BKP_DR6， BKP_DR7， BKP_DR8，

　　BKP_DR9， BKP_DR10， BKP_DR11， BKP_DR12， BKP_DR13， BKP_DR14， BKP_DR15， BKP_DR16，

　　BKP_DR17， BKP_DR18， BKP_DR19， BKP_DR20， BKP_DR21， BKP_DR22， BKP_DR23， BKP_DR24，

　　BKP_DR25， BKP_DR26， BKP_DR27， BKP_DR28， BKP_DR29， BKP_DR30， BKP_DR31， BKP_DR32，

　　BKP_DR33， BKP_DR34， BKP_DR35， BKP_DR36， BKP_DR37， BKP_DR38， BKP_DR39， BKP_DR40，

　　BKP_DR41， BKP_DR42

　　};

　　原來(lái)最終還是用BKP_DR**這樣的格式來(lái)用的，其中的**代表的序號(hào)。即 5.4.1中的x。

　　7．復(fù)位后，對(duì)備份寄存器和RTC的訪問(wèn)被禁止，并且備份域被保護(hù)以防止可能存在的意外的寫(xiě)操作。執(zhí)行以下操作可以使能對(duì)備份寄存器和RTC的訪問(wèn)。

　　● 通過(guò)設(shè)置寄存器RCC_APB1ENR的PWREN和BKPEN位來(lái)打開(kāi)電源和后備接口的時(shí)鐘

　　以下是相關(guān)代碼：

　　RCC_APB1PeriphClockCmd（RCC_APB1Periph_PWR | RCC_APB1Periph_BKP， ENABLE）;

　　這個(gè)沒(méi)有什么可說(shuō)的，關(guān)于打開(kāi)時(shí)鐘，前面已多次涉及到。

　　● 電源控制寄存器（PWR_CR）的DBP位來(lái)使能對(duì)后備寄存器和RTC的訪問(wèn)。

　　以下是相關(guān)代碼：

　　PWR_BackupAccessCmd（ENABLE）;

　　代碼本身相當(dāng)簡(jiǎn)潔，不過(guò)我們還是再深入一點(diǎn)點(diǎn)。

　　這個(gè)PWR_BackupAccessCmd代碼如下：（在stm 32f10x_pwr.c文件中）

　　/**

　　* @brief Enables or disables access to the RTC and backup registers.

　　* @param NewState： new state of the access to the RTC and backup registers.

　　* This parameter can be： ENABLE or DISABLE.

　　* @retval None

　　*/

　　void PWR_BackupAccessCmd（FunctionalState NewState）

　　{

　　/* Check the parameters */

　　assert_param（IS_FUNCTIONAL_STATE（NewState））;

　　*（__IO uint32_t *） CR_DBP_BB = （uint32_t）NewState;

　　}

　　而CR_DBP_BB在這里（stm 32f10x_pwr.c文件中）：

　　/* Alias word address of DBP bit */

　　#define CR_OFFSET （PWR_OFFSET + 0x00）

　　#define DBP_BitNumber 0x08

　　#define CR_DBP_BB （PERIPH_BB_BASE + （CR_OFFSET * 32） + （DBP_BitNumber * 4））

　　8.一番探索，暫告一段落。由于我的板子與EVAL板略有不同，4個(gè)發(fā)光管分別接GPIOD的8，9，10和11引腳，所以在程序中做了如下改動(dòng)（stm3210e_eval.h文件中）：

　　#define LEDn 4

　　#define LED1_GPIO_PORT GPIOD

　　#define LED1_GPIO_CLK RCC_APB2Periph_GPIOD

　　#define LED1_GPIO_PIN GPIO_Pin_8

　　#define LED2_GPIO_PORT GPIOD

　　#define LED2_GPIO_CLK RCC_APB2Periph_GPIOD

　　#define LED2_GPIO_PIN GPIO_Pin_9

　　#define LED3_GPIO_PORT GPIOD

　　#define LED3_GPIO_CLK RCC_APB2Periph_GPIOD

　　#define LED3_GPIO_PIN GPIO_Pin_10

　　#define LED4_GPIO_PORT GPIOD

　　#define LED4_GPIO_CLK RCC_APB2Periph_GPIOD

　　#define LED4_GPIO_PIN GPIO_Pin_11

　　然后在板子上將JP6插到VBAT端，并且為板子上現(xiàn)成的電池座中裝入一塊電池。

　　執(zhí)行程序，結(jié)果是LED4亮（程序運(yùn)行）LED1和LED3燈點(diǎn)亮，其含義如下：

　　（1. LD3 on / LD1 on： a Power On Reset occurred and the values in the BKP data registers are correct）。

　　按下復(fù)位按鈕后，LD1，LD2，LED3均滅，其含義如下：

　　（3. LD3 off / LD1 off / LD2 off： no Power On Reset occurred）