5、多種襯底上異質材料的生長同時并進開發，GaAs技術目前最為成熟，充分發揮InP襯底的優異性能，挖掘lnP襯底的潛力的研究正在廣泛進行;
6、寬帶隙的材料研究受到高度重視，特別是以CaN為代表的第三代半導體材料的研究，已成為各國業內科學家研發的熱點;SiC材料已研制成功許多性能優異的器件，如MOSFET、MESFET、JFET等。
MOCVD技術在半導體材料和器件及薄膜制備方面取得了巨大的成功。盡管如此，MOCVD仍是一種發展中的半導體超精細加工技術，MOCVD技術的進一步發展將會給微電子技術和光電子技術帶來更廣闊的前景。
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