多模3G手機前端電路設計
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圖8顯示了超前/滯后合成器網絡輸出失配時發生的情況。這一仿真中，在Port1合成器輸出上有5.0:1 VSWR的失配。使用5.0:1 VSWR的原因在于這是手機環境中可能發生的最壞失配情況。Ports2和4受到的影響是阻抗轉換，亦即每個PA輸出2.0:1 VSWR。前端組件插損可對天線失配起一定隔離作用。典型前端組件插損至少3dB，這限定了超前/滯后合成器輸出的最壞情況VSWR是3.0:1，而非5.0:1。
圖9所示為測得的RF6285的ACLR性能與VSWR的關系，從中可看出PA正交架構的優勢。作為參考，在3.0:1的最壞情況VSWR下，ACLR下降不到2dB，而單端PA時為10dB。對于3.0:1的最壞情況VSWR，RF6285的功率下降只有2.5dB，相同情況下單端PA則為3.5dB(圖10)。圖11顯示了RF6285的峰值集電極電流與VSWR的關系。在2.0:1最壞情況VSWR下，RF6285的峰值集電極電流只增加了3%，而相同條件下單端PA的增加了20%之多。
3G手機的設計人員面臨著大量挑戰，究竟應該優先解決那些問題，需根據最終應用來決定。像RD6280模塊這樣的解決方案可為多頻帶應用帶來靈活性的優點，同時在所有功率級和工作模式下都能保持最佳性能。相反地，RF6241、RF6242和RF6245等高度集成的解決方案可減少元件數目求。上述兩類解決方案都能夠滿足改進回退功率級下耗電量的要求，而RD6280包含有PA PMIC，可提供更多的性能優化。
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