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        單極性PWM技術在雷達天線控制中的應用

        作者: 時間:2013-08-22 來源:網絡 收藏

        1.2 驅動和功率轉換電路設計
        脈沖分配電路產生的脈沖,送入半橋驅動器放大。如圖2所示,國際整流器公司生產的IR2308和由IGBT組成的H橋驅動和功率轉換電路。IR2308在驅動高端柵極時,必須外接自舉二極管和自舉電容,當Vs腳通過低端IGBT和電機負載拉到地時,自舉電容由直流+18 V通過自舉二極管對電容充電;低端IGBT關斷時,電容通過IR2308的內部推挽結構經HO腳對高端IGBT柵極充電,使其飽和導通。IR2308內部死區保護單元為IGBT開關延時提供了死區時間,消除了“直通臂”的現象。在正常工作時,由于對側低端的IGBT始終開通,故此時自舉電容可以通過電機負載對地充電,減小了因對高端柵極的充電導致的自舉電壓降的波動,可以看出這是一個的過程。
        1.3 自舉元件的計算
        自舉元件參數的選擇對自舉效果存在重要影響。以下方程詳述了自舉電容提供的最小充電電荷:

        其中:Vcc為邏輯電路部分的電壓源,Vf為自舉二極管的正向壓降,VLS為低端IGBT上的壓降,VMin為‰與Vs之間的最小電壓。自舉電容漏電流ICbs(leak)僅與自舉電容是電解時有關,如果采用其他類型的電容,則可以忽略,因此盡可能使用非電解電容。自舉二極管必須能夠承受線路中的所有電壓;在圖2的電路中,當高端IGBT導通并且大約等于母線電壓Vbus時,就會出現此現象。自舉二極管的高溫反向漏電流特性在那些需要電容來保存電荷-段延時時間的應用中是一個重要的參數。同樣,為了減小由自舉電容饋入電源的電荷,應選用超快速恢復二極管。推薦自舉二極管的特性如下:最大反向電壓:VRRM≥母線電壓Vbus;最大反向恢復時間:trr≤100 ns;正向電流:IF≥Qbsf。

        2 實驗驗證
        2.1 實驗方法和器件參數選取
        本實驗由TI公司的TMS320LF2407A DSP自身的PWM發生器產生頻率f=20 kHz的脈沖寬度調制信號,PWM的占空比可調范圍為0%~90%,同時使用I/O口輸出方向信號;電動機采用100 V/2 A的直流伺服電機,電樞回路總電阻Ra=8.1 Ω。
        使用H橋電路驅動100 V/2 A的直流伺服電機,所以要求H橋的母線電壓Vbus是100V,流過各開關的最大電流為2 A。因此電橋使用的IGBT的集電極一發射極間電壓VCES的絕對最大額定值應該大于100 V,集電極電流IC的最大額定值在2 A以上。對于電動機這樣的感性負載,當驅動電壓突動機產生的反電動勢燒壞開關器件,在H橋各開關中必須接入續流二極管,用于吸收反電動勢。很多開關用IGBT在集電極和源極之間內藏續流二極管,因此二極管的應該滿足峰值恢復電流Irr大于2 A(100 V/2 A的直流伺服電機),反向電壓UR應該大于H橋供電電壓100 V。仙童公司生產的IGBTFGA25N120滿足上述要求,參數裕量很大,如表1所示。將表1中相關參數帶入公式(1)得出自舉電容提供的最小充電電荷Qbs=612.5 nC,代入自舉二極管正向電流公式即可計算出自舉二極管正向電流Ip≥12.25 mA,綜合考慮上面推薦的自居二極管特性,我們選用HER207。將最小充電電荷Qbs帶入公式(2)得到最小的自舉電容值C≥113.4 nF,選用220 nF的高壓瓷片電容。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/159273.htm

        e.JPG


        2.2 雷達天線實際應用中的效果
        如圖2所示,H型的電機電樞兩端平均電壓可以表示為:
        UAB=τ(Vbus-2VCE(sot)),τ為占空比 (3)
        當τ=0%時,此時UAB=0 V,電動機停止轉動。測得邏輯控制端,HIN1=0、LIN1=0、HIN2=0、LIN2=0,此結果與圖3(c)仿真邏輯一致。因為此時H橋的4個IGBT全部關斷,故此時不存在開關損耗;盡管電動機存在內部電阻,但此時沒有電流流過H橋,電動機也不消耗能量。當τ=100%時,其結果與τ=0%時完全相同。當τ=90%時,這個時候電壓的占空比很寬,天線處于一個比較高的轉速,測得流過電機電樞平均電流Iov為1.72 A,由(3)計算出電樞兩端平均電壓UAB=86.4 V,那么電源輸入功率為:
        Pout=UABIov=86.4Vx1.72 A≈148.61 W (4)
        電樞回路總的銅損耗為:
        Ploss=Iov2Ra=(1.72 A)2x3.91 Ω≈23.96 W (5)
        此部分能量浪費在電樞內部電阻上,轉變為熱能。由直流電動機穩態運行時的基本方程式:
        UAB=Ea+EovRa (6)
        其中:Ea為電動機的感應電動勢式(6)兩邊同時乘以Iov:
        UABIov=EaIov+Iov2Ra (7)
        即:Pout=PM+Ploss (8)
        故電磁功率為:
        PM=Pout-Ploss=148.61 W-23.96 W=124.65 W (9)
        此部分功率由電功率轉換為電磁功率,從而拖動天線,測得天線的實際轉速n=6 r/min。此時的轉換效率為:
        f.jpg
        H型的電機電樞兩端的平均電壓可以表示為:
        UAB=α(Vbus-2VCE(sot)-(1-α)(Vbus-2VCE(sot))=(2α-1)(Vbus-2VCE(sot)),α為占空比 (11)
        當α=50%時,此時UAB=0 V,電動機停止轉動。但是此時電機電樞兩端的電流是交變通斷的,因此會消耗功率電樞內部電阻上,同時IGBT由于每個周期的交替導通和關斷,會存在4個IGBT開關損耗。與占空比α=90%相對應的占空比為UAB=95%,此時電樞兩端平均電壓=86.4 V。但在一個開關周期里,比電路要多出兩個IGBT開關損耗,同時電樞內部電阻在整個開關周期里都消耗功率。因此可以發現,雙極性PWM較單極性PWM電路在拖動天線時,浪費在開關損耗和銅損上的功率更多,從而導致轉換效率的降低,也降低了天線的轉速。

        3 結論
        上面設計的H型單極性PWM電路,克服了雙極性PWM電路在電機停止轉動時仍然有損耗的缺點;在電機運轉時,功耗也相應減小,提高了轉換效率,進一步提高了轉速。目前,市場上類似的H橋驅動器也能夠完成上述功能,比如美國國家半導體的LMD18200。但是類似的集成芯片母線供電電壓一般較低(一般只有幾十伏)、功率有限、而且價格昂貴。文中設計的電路,僅通過增加邏輯實現H型單極性PWM功能,母線供電電壓可高達上百伏。

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